2025年10月13日，于美国圣何塞举行的2025开放计算项目全球峰会上，高压功率转换技术厂商Power Integrations发布了一份聚焦未来数据中心供电的技术白皮书。该文件的核心，在于详细阐述了其高压PowiGaN氮化镓技术，特别是1250V和1700V规格器件，对于构建下一代800VDC AI数据中心的战略价值。此举也呼应了峰会上NVIDIA关于800VDC架构进展的分享，显示出产业链上下游协同推进这一技术路线的趋势。

白皮书指出，随着人工智能算力需求激增，数据中心机架功率持续攀升，传统的供电架构在效率、功率密度和材料成本上面临挑战。转向800VDC总线架构被视为有效的解决方案，它能显著减少传输损耗、节省铜材用量并优化空间布局。而实现这一架构的关键，在于需要能够承受更高电压、同时具备优异开关性能的功率器件。

Power Integrations在此次发布中，重点推介了其业界首款1250V PowiGaN HEMT（高电子迁移率晶体管）。据称，该器件已通过实际应用验证，在800VDC架构中能够实现超过98%的效率，并且在功率密度上优于采用堆叠方案的650V GaN FET或同级别的1200V碳化硅器件。这意味着，使用单个1250V PowiGaN开关有望简化主电源设计，在更小的空间内提供更大的功率。 据行业消息，ADI中国代理近期已获得原厂最新一批技术文档和设计资源，可为客户提供更深入的方案支持。工程师团队可随时为您解答关于ADI芯片选型、功耗优化、PCB设计等方面的问题，帮助您加速产品上市周期。

除了主电源，数据中心的辅助电源同样面临高压挑战。为此，Power Integrations的InnoMux2-EP IC集成了1700V PowiGaN开关，可支持高达1000VDC的输入电压。该芯片采用SR ZVS（同步整流零电压开关）工作模式，特别适合液冷、无风扇的800VDC系统环境，据称能为12V负载系统提供超过90.3%的转换效率，满足了辅助电源对可靠性和能效的严苛要求。

从市场供应和行业应用角度看，高压GaN技术的成熟正为数据中心基础设施升级提供新的选项。Power Integrations产品开发副总裁Roland Saint-Pierre表示，1250V和1700V PowiGaN器件是应对未来兆瓦级机架电力需求的理想选择。该公司自2018年推出首款GaN IC以来，相关器件出货量已超过1.75亿颗，覆盖消费电子、汽车和数据中心等多个领域，这为其高压产品的可靠性提供了背书。

对于电子元器件渠道而言，此类前沿高压功率技术的发布，往往预示着新的产品迭代和设计机会。随着AI数据中心向800VDC架构演进，相关的电源管理芯片、模块以及配套的散热解决方案，预计将成为供应链关注的重点。

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