

LTC4352IDD#PBF技术参数
- 制造厂商:ADI(Analog Devices,亚德诺半导体)
- 类别封装:电源管理IC - OR 控制器,理想二极管,封装:12-WFDFN
- 技术参数:IC OR CTRLR N+1 12DFN
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LTC4352IDD#PBF技术参数详情说明:
LTC4352IDD#PBF是一款由亚德诺半导体(ADI)设计生产的N+1 ORing控制器,采用紧凑的12引脚DFN封装。该器件专为构建高可靠性冗余电源系统而设计,其核心架构围绕一个精密的模拟比较器和快速栅极驱动电路构建,通过监测外部N沟道MOSFET两端的压降,动态控制其栅极电压,从而实现近乎理想的二极管整流功能。这种架构有效消除了传统肖特基二极管方案中由正向压降导致的功率损耗和发热问题,显著提升了系统效率与功率密度。
在功能实现上,该控制器具备极快的关断响应速度,其关闭延迟时间典型值仅为200ns,能够在检测到输入电源故障或反向电流时迅速关断外部MOSFET,防止电流倒灌并确保负载供电的连续性。同时,其开启延迟时间约为250ns,确保了平滑的电源切换。器件工作电压范围宽达2.9V至18V,静态工作电流仅为1.4mA,非常适合对功耗敏感的应用。其设计允许单个控制器管理一个电源通道,通过多个器件并联即可轻松构建N+1冗余架构,为关键负载提供无缝的故障切换保护。
该芯片的接口设计简洁高效,主要控制信号包括用于检测MOSFET管压降的SENSE引脚、驱动MOSFET栅极的GATE引脚以及用于状态指示的FLAG引脚。其关键参数如快速开关延迟、宽工作电压范围和低静态电流,共同构成了其在苛刻环境下的可靠运行基础。器件支持-40°C至85°C的工业级工作温度范围,采用表面贴装形式,便于集成到高密度PCB布局中。对于需要可靠技术支持与供货保障的客户,可以通过ADI中国代理获取详细的技术资料与采购支持。
基于其高性能与高可靠性,LTC4352IDD#PBF主要面向电信基础设施、网络设备、服务器存储系统以及工业控制等领域的冗余电源备份方案。在这些应用中,它能够确保在主电源路径发生故障时,备用电源路径可以无间断地接管负载,最大限度地减少系统宕机时间,是构建高可用性电源系统的关键组件。
- 制造商产品型号:LTC4352IDD#PBF
- 制造商:AD/ADI(Analog Devices,亚德诺半导体)
- 描述:IC OR CTRLR N+1 12DFN
- 产品系列:电源管理IC - OR 控制器,理想二极管
- 包装:管件
- 系列:-
- 零件状态:有源
- 类型:N+1 ORing 控制器
- FET类型:N 通道
- 比率-输入:输出:N:1
- 内部开关:无
- 延迟时间-开启:250ns
- 延迟时间-关闭:200ns
- 电流-输出(最大值):-
- 电流-供电:1.4mA
- 电压-供电:2.9V ~ 18V
- 应用:冗余电源,电信基础结构
- 工作温度:-40°C ~ 85°C
- 安装类型:表面贴装型
- 封装:12-WFDFN
- 更多产品技术参数细节,请下载技术文档后获取。
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