

HMC558LC3BTR-R5技术参数
- 制造厂商:ADI(Analog Devices,亚德诺半导体)
- 类别封装:射频混频器,封装:12-VFCQFN
- 技术参数:IC MIXER FUNDAMENTAL 12SMD
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HMC558LC3BTR-R5技术参数详情说明:
HMC558LC3BTR-R5是亚德诺半导体(Analog Devices)推出的一款高性能射频混频器芯片,采用无源双平衡混频器核心架构。该架构基于肖特基二极管环形设计,能够在宽频带范围内实现出色的端口间隔离度与线性度,有效抑制本振泄漏和杂散信号,为复杂的射频系统提供了可靠的信号转换基础。其表面贴装型的12-VFCQFN封装结构紧凑,便于集成到高密度PCB布局中,满足现代通信设备对小型化的要求。
该器件作为一款通用型射频混频器,工作频率覆盖5.5GHz至14GHz的宽范围,适用于多种上变频或下变频应用。其噪声系数典型值为8.5dB,在同类无源混频器中表现均衡,有助于维持接收链路整体的信号质量。尽管作为无源器件不提供转换增益,但其优异的线性性能确保了在大信号输入条件下仍能保持较低的互调失真,这对于高动态范围系统至关重要。用户可通过标准的ADI代理商渠道获取详细的设计支持与供应链服务。
在接口与参数方面,HMC558LC3BTR-R5设计简洁,主要包含射频(RF)、本振(LO)和中频(IF)三个端口,支持单端或平衡输入输出配置,为电路设计提供了灵活性。其工作无需外部偏置电压或电流,简化了电源设计。虽然该产品目前已处于停产状态,但其成熟的设计和稳定的性能使其在特定存量项目或替代方案评估中仍具参考价值。工程师在设计时需参考最终数据手册以确认具体的驱动电平和匹配网络要求。
在应用场景上,这款混频器非常适合点对点无线电、卫星通信、微波中继以及测试测量设备等需要高频、宽带宽信号处理的领域。其宽频带特性使其能够服务于多个通信波段,减少了系统因频段切换对硬件改动的需求,提升了设计复用性。无论是作为接收机的前端下变频器,还是发射链路的末级上变频器,HMC558LC3BTR-R5都能凭借其稳健的性能,成为构建高性能射频收发系统的关键组件之一。
- 制造商产品型号:HMC558LC3BTR-R5
- 制造商:AD/ADI(Analog Devices,亚德诺半导体)
- 描述:IC MIXER FUNDAMENTAL 12SMD
- 系列:射频混频器
- 包装:卷带(TR)
- 零件状态:停产
- 射频类型:通用
- 频率:5.5GHz ~ 14GHz
- 混频器数:1
- 增益:-
- 噪声系数:8.5dB
- 辅助属性:升/降频器
- 电流-供电:-
- 电压-供电:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装:12-VFCQFN
- 更多产品技术参数细节,请下载技术文档后获取。
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