

ADUM4223ARWZ技术参数
- 制造厂商:ADI(Analog Devices,亚德诺半导体)
- 类别封装:隔离器 - 栅极驱动器,封装:16-SOIC(0.295,7.50mm 宽)
- 技术参数:DGTL ISO 5KV 2CH GATE DVR 16SOIC
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ADUM4223ARWZ技术参数详情说明:
ADUM4223ARWZ是亚德诺半导体(ADI)基于其专有iCoupler磁隔离技术开发的一款双通道、高性能栅极驱动器隔离器。该器件采用先进的芯片级变压器设计,通过磁耦合方式在输入与输出之间实现高达5000Vrms的电气隔离,有效阻断高共模电压,确保信号在恶劣的工业环境中能够安全、可靠地传输。其核心架构集成了两个独立的隔离通道,每个通道均包含信号调理与功率驱动单元,能够直接驱动功率MOSFET或IGBT的栅极,简化了系统设计。
该器件具备卓越的瞬态抗干扰能力,其共模瞬变抗扰度(CMTI)最小值高达50kV/s,这使其在开关电源、电机驱动等存在剧烈电压跳变的场景中,能够有效抑制噪声干扰,避免误触发,保障系统稳定运行。在动态性能方面,ADUM4223ARWZ表现出色,其典型上升和下降时间仅为12ns,最大传播延迟为59ns,且通道间匹配性良好,这有助于实现精确的开关时序控制,减少死区时间,提升系统效率与功率密度。
在接口与电气参数上,该器件输出侧支持4.5V至18V的宽范围供电电压,为驱动不同规格的功率器件提供了灵活性。其峰值输出电流能力达到4A,能够提供强大的栅极驱动能力,快速对功率器件的栅极电容进行充放电,从而降低开关损耗。器件采用紧凑的16引脚SOIC宽体封装,符合表面贴装工艺要求,工作温度范围覆盖-40°C至125°C的工业级标准,确保了其在严苛环境下的可靠性。对于需要稳定供货与技术支持的客户,通过ADI授权代理渠道进行采购是保障项目顺利进行的重要环节。
基于上述特性,ADUM4223ARWZ非常适用于需要高电压隔离和快速开关控制的工业应用。典型应用场景包括工业电机驱动与伺服控制系统、光伏逆变器和UPS不同断电源中的功率模块驱动、以及隔离式DC-DC转换器和开关电源中的MOSFET/IGBT驱动。其高集成度与可靠性,使其成为提升工业电力电子系统性能与安全性的关键组件。
- 制造商产品型号:ADUM4223ARWZ
- 制造商:AD/ADI(Analog Devices,亚德诺半导体)
- 描述:DGTL ISO 5KV 2CH GATE DVR 16SOIC
- 系列:隔离器 - 栅极驱动器
- 产品系列:iCoupler
- 零件状态:有源
- 技术:磁耦合
- 通道数:2
- 电压-隔离:5000Vrms
- 共模瞬变抗扰度(最小值):50kV/s
- 传播延迟tpLH/tpHL(最大值):59ns,59ns
- 脉宽失真(最大):-
- 上升/下降时间(典型值):12ns,12ns
- 电流-输出高、低:-
- 电流-峰值输出:4A
- 电压-正向(Vf)(典型值):-
- 电流-DC正向(If)(最大值):-
- 电压-输出供电:4.5V ~ 18V
- 工作温度:-40°C ~ 125°C
- 安装类型:表面贴装型
- 封装:16-SOIC(0.295,7.50mm 宽)
- 供应商器件封装:16-SOIC
- 更多产品技术参数细节,请下载技术文档后获取。
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