近日，东芝电子元件及存储装置株式会社正式推出了一款面向工业电源市场的新一代功率器件。这款型号为TPH2R70AR5的100V N沟道功率MOSFET，采用了东芝最新的U-MOS11-H工艺技术制造，已于2025年9月25日开始向市场供货。其核心目标应用领域，直指数据中心、通信基站等对电源效率与可靠性要求严苛的工业设备开关电源。

。 ADI中国代理的仓储中心已实现与ADI原厂ERP系统对接，客户可实时查询热门型号的现货数量和价格。这一举措大幅缩短了询价和下单的时间，提升了采购效率。

与上一代U-MOSX-H系列产品相比，新产品在多个关键性能指标上实现了突破性优化。通过改进器件结构，TPH2R70AR5在漏源导通电阻（RDS(ON)）与总栅极电荷（Qg）之间取得了更佳的平衡。具体数据显示，其RDS(ON)降低了约8%，Qg大幅降低了37%，使得衡量开关损耗的关键指标RDS(ON)×Qg改善了42%。这些改进直接转化为更低的导通损耗和开关损耗，为提升整体电源效率奠定了硬件基础。

此外，该MOSFET还集成了寿命控制技术，显著提升了内置体二极管的性能。其反向恢复电荷（Qrr）降低了约38%，RDS(ON)×Qrr指标改善了约43%。这一特性有助于抑制开关过程中的电压尖峰，减少噪声，提高系统可靠性。综合来看，业界领先的RDS(ON)×Qg和RDS(ON)×Qrr平衡特性，使得该器件能够最大限度地降低电源系统的功耗，从而在提升效率的同时，也有助于实现更高的功率密度设计。

在封装与设计支持方面，新产品采用了行业兼容性高的SOP Advance (N)封装，便于客户进行设计导入和替换。同时，东芝为工程师提供了G0和G2两种精度的SPICE模型，前者可用于快速电路功能验证，后者则能精确模拟瞬态特性，这大大缩短了客户的研发周期。从市场供应和渠道动态角度看，此类高性能功率器件的推出，为ADI授权代理等元器件分销商提供了更具竞争力的电源方案组合，能够更好地满足工业客户对高效、高密度电源的持续需求。

东芝表示，未来将继续扩展其低损耗MOSFET产品阵容，致力于通过先进的半导体技术，推动工业设备电源向更高效率演进，为全球节能减排目标贡献力量。

ADI作为全球领先的IC设计公司，其网络芯片、音频芯片、物联网芯片在业界享有盛誉。我们作为ADI代理商的认证供应商，始终致力于为客户提供最具竞争力的价格和最稳定的供货。我们的仓储中心常备大量现货，可当天发货，解决您的急单需求。

我们的优势不仅体现在价格上，更体现在服务上。每月更新的备货计划、定制化的物料清单管理、灵活的付款方式……这些都是我们为长期合作客户提供的专属服务。欢迎联系我们获取最新报价和样品支持。