MAT03EHZ技术参数
- 制造厂商：ADI（Analog Devices，亚德诺半导体）
- 类别封装：晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 阵列，封装：TO-78-6 金属罐
- 技术参数：TRANS 2PNP 36V 0.02A TO78-6
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MAT03EHZ技术参数详情说明：
MAT03EHZ是亚德诺半导体（Analog Devices）推出的一款高性能双PNP晶体管阵列，采用经典的TO-78-6金属罐封装。这款器件集成了两个经过精密匹配的PNP型双极性晶体管于同一硅片上，其核心价值在于提供了卓越的电参数匹配性和热跟踪特性。这种单片集成架构确保了两个晶体管在广泛的温度范围和工作条件下，其关键参数如VBE（基极-发射极电压）和hFE（直流电流增益）能够保持高度一致，这对于需要差分对或镜像电流源等对称电路设计的应用至关重要。
该器件的功能特点突出表现在其低噪声和高速性能上。其跃迁频率高达190MHz，使其能够胜任中频放大和高速开关应用。同时，其集电极-发射极饱和压降极低，在100A基极电流和1mA集电极电流条件下，典型值仅为100mV，这有助于在低电压摆幅下实现高效的信号切换，并减少开关损耗。其集电极最大工作电流为20mA，集射极击穿电压为36V，最大功耗为500mW，这些参数定义了一个稳定可靠的工作窗口。
在接口与参数方面，MAT03EHZ的金属罐封装不仅提供了优良的电磁屏蔽性能，还确保了出色的散热能力，其工作结温范围宽达-55°C至150°C，适用于严苛的工业与军事环境。其通孔安装方式也便于在需要高可靠性的原型板或最终产品中进行焊接和固定。尽管该型号目前已处于停产状态，但在一些对性能一致性要求极高的存量系统或特定设计中，它仍然是关键的选择。对于有相关需求的工程师，可以通过专业的ADI中国代理渠道咨询库存或替代方案信息。
基于其精密匹配和稳定的特性，MAT03EHZ的传统应用场景主要集中在需要高精度模拟信号处理的领域。例如，在精密仪器仪表中用作低漂移的差分输入级，在音频设备中构建低失真的放大电路，或在电压基准和稳压电路中作为核心的电流镜元件。其高速特性也使其曾应用于一些通信设备的本地振荡或信号调理模块中。
- 制造商产品型号：MAT03EHZ
- 制造商：AD/ADI（Analog Devices，亚德诺半导体）
- 描述：TRANS 2PNP 36V 0.02A TO78-6
- 系列：晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 阵列
- 零件状态：停产
- 晶体管类型：2 PNP（双）
- 电流-集电极(Ic)（最大值）：20mA
- 电压-集射极击穿（最大值）：36V
- 不同Ib、Ic时Vce饱和压降（最大值）：100mV @ 100A，1mA
- 电流-集电极截止（最大值）：-
- 不同Ic、Vce时DC电流增益(hFE)（最小值）：-
- 功率-最大值：500mW
- 频率-跃迁：190MHz
- 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：通孔
- 封装：TO-78-6 金属罐
- 更多产品技术参数细节，请下载技术文档后获取。
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