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LTC7003IMSE#PBF技术参数

  • 制造厂商:ADI(Analog Devices,亚德诺半导体)
  • 类别封装:电源管理IC - 栅极驱动器,产品封装:16-TFSOP(0.118,3.00mm 宽)
  • 技术参数:IC GATE DRVR HIGH-SIDE 16MSOP
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LTC7003IMSE#PBF技术参数详情说明:

LTC7003IMSE#PBF是一款由亚德诺半导体(ADI)设计生产的高性能、单通道高端N沟道MOSFET栅极驱动器。该器件采用紧凑的16引脚MSOP封装,专为在严苛的工业与汽车环境中实现高效、可靠的功率开关控制而优化。其核心架构基于一个集成的自举充电电路,能够支持高达60V的绝对最大电压,从而轻松驱动高侧开关,简化了传统设计中需要独立浮动电源的复杂拓扑。

该驱动器具备出色的动态性能,其典型的上升和下降时间分别为90ns和40ns,确保了功率MOSFET能够快速、干净地开启与关断,这对于最小化开关损耗、提升系统整体效率至关重要。其3.5V至15V的宽范围供电电压使其兼容多种逻辑电平,而其非反相输入逻辑则简化了与微控制器或数字信号处理器的接口设计。其工作结温范围覆盖-40°C至125°C,保证了在极端温度条件下的稳定运行,满足汽车级应用的可靠性要求。

在功能上,LTC7003IMSE#PBF集成了强大的保护特性,包括欠压锁定(UVLO)功能,防止功率管在栅极电压不足时不完全导通,从而避免过热损坏。其稳健的设计能够有效抑制由开关节点高dV/dt引起的寄生导通问题。对于需要可靠供应链保障的客户,通过ADI授权代理进行采购是确保获得正品器件和完整技术支持的关键途径。

该芯片的典型应用场景广泛,尤其适用于需要高侧开关控制的DC-DC转换器、电机驱动系统(如无刷直流电机)、以及汽车电子中的螺线管或继电器驱动。其高边驱动能力使其成为构建半桥或全桥拓扑中上桥臂的理想选择,在电池供电系统、工业自动化以及48V轻度混合动力汽车系统中都能发挥核心作用,是实现紧凑、高效且鲁棒的功率管理解决方案的重要基石。

  • 制造商产品型号:LTC7003IMSE#PBF
  • 制造商:AD/ADI(Analog Devices,亚德诺半导体)
  • 描述:IC GATE DRVR HIGH-SIDE 16MSOP
  • 产品系列:电源管理IC - 栅极驱动器
  • 包装:管件
  • 系列:-
  • 零件状态:有源
  • 驱动配置:高端
  • 通道类型:单路
  • 驱动器数:1
  • 栅极类型:N 沟道 MOSFET
  • 电压-供电:3.5V ~ 15V
  • 逻辑电压-VIL,VIH:-
  • 电流-峰值输出(灌入,拉出):-
  • 输入类型:非反相
  • 高压侧电压-最大值(自举):60V
  • 上升/下降时间(典型值):90ns,40ns
  • 工作温度:-40°C ~ 125°C(TJ)
  • 安装类型:表面贴装型
  • 产品封装:16-TFSOP(0.118,3.00mm 宽)
  • 更多产品技术参数细节,请下载技术文档后获取。

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