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LTC7001EMSE#TRPBF技术参数
- 制造厂商:ADI(Analog Devices,亚德诺半导体)
- 类别封装:电源管理IC - 栅极驱动器,产品封装:10-TFSOP,10-MSOP(0.118,3.00mm 宽)
- 技术参数:IC GATE DRVR HIGH-SIDE 10MSOP
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LTC7001EMSE#TRPBF技术参数详情说明:
LTC7001EMSE#TRPBF是亚德诺半导体(ADI)推出的一款高压侧N沟道MOSFET栅极驱动器。该器件采用紧凑的10引脚MSOP封装,专为需要高效、可靠地驱动高边开关的应用而设计。其内部集成了自举二极管和电荷泵,能够在高达135V的电压下稳定工作,简化了外部电路设计,提升了系统的集成度与可靠性。
该驱动器具备出色的动态性能,其上升和下降时间典型值分别为90ns和40ns,能够实现对功率MOSFET的快速开关控制,有效降低开关损耗,提升电源转换效率。3.5V至15V的宽范围供电电压使其兼容多种逻辑电平,而非反相输入逻辑则确保了控制信号的直观性。其工作结温范围覆盖-40°C至125°C,保证了在严苛工业环境下的稳定运行。对于需要可靠供应链支持的客户,可以通过ADI中国代理获取该产品的技术支持和供货服务。
在接口与参数方面,LTC7001EMSE#TRPBF作为单通道高端驱动器,其核心优势在于高压侧驱动能力。它直接驱动N沟道MOSFET,无需复杂的电平移位电路。其高压侧最大工作电压(自举)达到135V,为许多中高压应用提供了直接解决方案。快速的开关速度和宽泛的工作温度范围,使其参数表现非常适用于对效率和可靠性有高要求的场景。
基于其架构与特性,LTC7001EMSE#TRPBF广泛应用于工业电源、电机驱动、DC-DC转换器以及电池保护系统等领域。特别是在半桥或全桥拓扑的电源设计中,作为高边驱动器,它能有效简化布局,提高功率级的开关频率和效率,是工程师构建高性能、高密度电源解决方案的理想选择。
- 制造商产品型号:LTC7001EMSE#TRPBF
- 制造商:AD/ADI(Analog Devices,亚德诺半导体)
- 描述:IC GATE DRVR HIGH-SIDE 10MSOP
- 产品系列:电源管理IC - 栅极驱动器
- 包装:卷带(TR),剪切带(CT)
- 系列:-
- 零件状态:有源
- 驱动配置:高端
- 通道类型:单路
- 驱动器数:1
- 栅极类型:N 沟道 MOSFET
- 电压-供电:3.5V ~ 15V
- 逻辑电压-VIL,VIH:-
- 电流-峰值输出(灌入,拉出):-
- 输入类型:非反相
- 高压侧电压-最大值(自举):135V
- 上升/下降时间(典型值):90ns,40ns
- 工作温度:-40°C ~ 125°C(TJ)
- 安装类型:表面贴装型
- 产品封装:10-TFSOP,10-MSOP(0.118,3.00mm 宽)
- 更多产品技术参数细节,请下载技术文档后获取。
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