

LTC7000MPMSE#TRPBF技术参数
- 制造厂商:ADI(Analog Devices,亚德诺半导体)
- 类别封装:电源管理IC - 栅极驱动器,产品封装:16-TFSOP(0.118,3.00mm 宽)
- 技术参数:IC GATE DRVR HIGH-SIDE 16MSOP
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LTC7000MPMSE#TRPBF技术参数详情说明:
LTC7000MPMSE#TRPBF是一款由Analog Devices(ADI)设计生产的高性能高压侧N沟道MOSFET栅极驱动器。该器件采用先进的CMOS工艺和稳健的架构,旨在为需要高压侧开关控制的应用提供可靠、高效的驱动解决方案。其核心设计围绕一个集成了自举充电电路的单通道驱动器,能够在高达135V的电压下稳定工作,确保高端功率器件在严苛条件下的快速、安全开关。
该驱动器具备出色的动态性能,其90ns的典型上升时间和40ns的典型下降时间,能够显著降低开关损耗,提升系统整体效率。输入采用非反相逻辑,简化了与控制器的接口设计。其宽泛的3.5V至15V供电电压范围,使其能够兼容多种逻辑电平,增强了设计的灵活性。对于需要可靠供应链支持的客户,通过ADI授权代理可以获得原厂正品保障与全面的技术支持。
在接口与参数方面,LTC7000MPMSE#TRPBF采用紧凑的16引脚MSOP封装,适用于高密度PCB布局。其工作结温范围覆盖-55°C至150°C,确保了在工业、汽车等极端温度环境下的长期可靠性。器件内部集成了欠压锁定(UVLO)保护功能,防止功率MOSFET在栅极电压不足时不完全导通,从而避免过热损坏。这些特性共同构成了一个坚固的驱动核心。
该芯片典型应用于需要高效、可靠高压侧驱动的场合。例如,在DC-DC转换器、电机驱动系统、电池保护电路以及工业自动化电源模块中,它能够直接驱动高边MOSFET或IGBT。其高压能力和快速开关特性使其特别适合用于电信电源、汽车电子中的泵电路、以及基于半桥或全桥拓扑的功率转换系统,是提升功率密度和系统可靠性的关键组件。
- 制造商产品型号:LTC7000MPMSE#TRPBF
- 制造商:AD/ADI(Analog Devices,亚德诺半导体)
- 描述:IC GATE DRVR HIGH-SIDE 16MSOP
- 产品系列:电源管理IC - 栅极驱动器
- 包装:卷带(TR)
- 系列:-
- 零件状态:有源
- 驱动配置:高端
- 通道类型:单路
- 驱动器数:1
- 栅极类型:N 沟道 MOSFET
- 电压-供电:3.5V ~ 15V
- 逻辑电压-VIL,VIH:-
- 电流-峰值输出(灌入,拉出):-
- 输入类型:非反相
- 高压侧电压-最大值(自举):135V
- 上升/下降时间(典型值):90ns,40ns
- 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
- 安装类型:表面贴装型
- 产品封装:16-TFSOP(0.118,3.00mm 宽)
- 更多产品技术参数细节,请下载技术文档后获取。
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