

LTC7000MPMSE-1技术参数
- 制造厂商:ADI(Analog Devices,亚德诺半导体)
- 类别封装:电源管理IC - 栅极驱动器,产品封装:16-TFSOP(0.118,3.00mm 宽)12 引线,
- 技术参数:IC GATE DRVR HIGH-SIDE 16MSOP
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LTC7000MPMSE-1技术参数详情说明:
LTC7000MPMSE-1是一款由亚德诺半导体(Analog Devices)设计的高性能、高压侧N沟道MOSFET栅极驱动器。该器件采用紧凑的16引脚MSOP封装,专为在严苛环境下驱动高边开关而优化,其核心架构基于一个集成了自举充电电路的高压电平转换器。这种设计允许驱动器在高达135V的电压下稳定工作,同时其输入逻辑兼容低至1.8V的微控制器信号,实现了高压功率级与低压控制电路之间的高效、安全隔离。
该芯片的功能特点突出表现在其宽范围的工作能力与鲁棒性上。它支持3.5V至150V的宽电源电压范围,使其能够灵活应用于多种总线电压平台。其非反相输入逻辑简化了系统设计,而典型值分别为90ns和40ns的快速上升与下降时间,则确保了开关器件的高效切换,有助于降低开关损耗并提升系统整体效率。此外,器件具备-55°C至150°C的极宽结温工作范围,使其能够胜任工业、汽车等对温度要求苛刻的应用场景,其“最后抢购”的状态也表明这是一款经过市场验证的成熟方案。对于需要可靠供应链支持的客户,可以通过ADI中国代理获取该产品及相关技术支持。
在接口与关键参数方面,LTC7000MPMSE-1作为单通道高端驱动器,其逻辑输入阈值(VIL/VIH)针对1.8V逻辑系统进行了优化,确保了与主流低压MCU或DSP的无缝连接。高压侧最大自举电压达到135V,为驱动高压MOSFET提供了充足的安全裕量。其表面贴装型(SMT)的16-TFSOP封装不仅节省了宝贵的电路板空间,也符合现代电子制造的主流工艺要求。
基于上述特性,LTC7000MPMSE-1的理想应用场景非常广泛。它非常适合用于DC-DC转换器中的高边开关驱动、电机控制中的半桥或全桥拓扑上管驱动,以及需要高边开关的电池保护电路和电源OR-ing控制器。在工业自动化、电信基础设施电源以及汽车电子系统中,其高压耐受能力、快速开关性能和宽温工作范围使其成为构建高效、可靠功率转换系统的关键组件。
- 制造商产品型号:LTC7000MPMSE-1
- 制造商:AD/ADI(Analog Devices,亚德诺半导体)
- 描述:IC GATE DRVR HIGH-SIDE 16MSOP
- 产品系列:电源管理IC - 栅极驱动器
- 包装:管件
- 系列:-
- 零件状态:最後
- 驱动配置:高端
- 通道类型:单路
- 驱动器数:1
- 栅极类型:N 沟道 MOSFET
- 电压-供电:3.5V ~ 150V
- 逻辑电压-VIL,VIH:1.8V,1.7V
- 电流-峰值输出(灌入,拉出):-
- 输入类型:非反相
- 高压侧电压-最大值(自举):135V
- 上升/下降时间(典型值):90ns,40ns
- 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
- 安装类型:表面贴装型
- 产品封装:16-TFSOP(0.118,3.00mm 宽)12 引线,
- 更多产品技术参数细节,请下载技术文档后获取。
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