

LTC7000JMSE-1#WTRPBF技术参数
- 制造厂商:ADI(Analog Devices,亚德诺半导体)
- 类别封装:电源管理IC - 栅极驱动器,产品封装:16-TFSOP(0.118,3.00mm 宽)12 引线,
- 技术参数:FAST 150V PROTECTED HI SIDE NMOS
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LTC7000JMSE-1#WTRPBF技术参数详情说明:
LTC7000JMSE-1#WTRPBF是一款由亚德诺半导体(ADI)设计的高性能、高可靠性栅极驱动器,专为在严苛环境下驱动高端N沟道MOSFET而优化。其核心架构基于一个集成了自举充电泵和先进保护电路的高压电平转换器,能够在高达135V的供电电压下稳定工作,并直接兼容3.3V或5V的逻辑电平输入。这种设计使得该器件能够高效地将低压控制信号转换为足以完全驱动高压侧MOSFET的栅极电压,同时确保了信号传输的快速与精确。
该器件的一个突出特性是其高达150V的绝对最大电压额定值,这为系统提供了宽裕的电压裕量,增强了在瞬态电压冲击下的鲁棒性。其开关性能优异,典型上升和下降时间分别为90ns和40ns,这有助于降低开关损耗,提升系统整体效率,尤其适用于高频开关应用。作为符合AEC-Q100标准的汽车级产品,它能够在-40°C至150°C的宽结温范围内稳定运行,满足汽车电子对可靠性的严苛要求。其输入采用非反相设计,简化了控制逻辑,而单通道高端驱动配置则使其在电机控制、电源转换等需要隔离驱动的拓扑中成为理想选择。
在接口与参数方面,该芯片采用表面贴装的16引脚TFSOP封装,支持卷带包装,便于自动化生产。其供电电压范围宽达3.5V至135V,为设计提供了极大的灵活性。虽然其峰值输出电流参数未在基础规格中明确列出,但其快速的开关时间表明其具备驱动中等功率MOSFET的能力。对于需要精确时序控制的应用,其快速的传播延迟和匹配的上升/下降时间至关重要。用户可以通过授权的ADI代理商获取完整的数据手册以获取详细的时序图和布局指南。
得益于其高耐压、快速开关和汽车级可靠性,LTC7000JMSE-1#WTRPBF非常适合一系列要求苛刻的应用场景。它广泛应用于汽车系统中的燃油喷射驱动器、电机控制单元(如水泵、风扇)、以及48V轻度混合动力系统。在工业领域,它可用于开关电源(SMPS)的高压侧开关、电池保护电路和工业自动化中的固态继电器驱动。其坚固的设计使其成为任何需要在高压、高噪声环境中实现可靠、高效开关控制的系统的核心组件。
- 制造商产品型号:LTC7000JMSE-1#WTRPBF
- 制造商:AD/ADI(Analog Devices,亚德诺半导体)
- 描述:FAST 150V PROTECTED HI SIDE NMOS
- 产品系列:电源管理IC - 栅极驱动器
- 包装:卷带(TR)
- 系列:Automotive, AEC-Q100
- 零件状态:有源
- 驱动配置:高端
- 通道类型:单路
- 驱动器数:1
- 栅极类型:N 沟道 MOSFET
- 电压-供电:3.5V ~ 135V
- 逻辑电压-VIL,VIH:-
- 电流-峰值输出(灌入,拉出):-
- 输入类型:非反相
- 高压侧电压-最大值(自举):-
- 上升/下降时间(典型值):90ns,40ns
- 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ)
- 安装类型:表面贴装型
- 产品封装:16-TFSOP(0.118,3.00mm 宽)12 引线,
- 更多产品技术参数细节,请下载技术文档后获取。
作为ADI代理商的战略合作伙伴,我们长期提供LTC7000JMSE-1#WTRPBF现货供应,支持技术选型与替代方案,欢迎咨询获取最新价格及资料。
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