

LTC7000JMSE-1#WPBF技术参数
- 制造厂商:ADI(Analog Devices,亚德诺半导体)
- 类别封装:电源管理IC - 栅极驱动器,产品封装:16-TFSOP(0.118,3.00mm 宽)12 引线,
- 技术参数:FAST 150V PROTECTED HI SIDE NMOS
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LTC7000JMSE-1#WPBF技术参数详情说明:
作为一款面向严苛工业与汽车环境的电源管理解决方案,LTC7000JMSE-1#WPBF采用了稳健的高压栅极驱动器架构。其核心设计围绕一个能够承受高达150V电压的快速保护型高端N沟道MOSFET驱动器展开,内部集成了自举二极管和电荷泵,确保在宽输入电压范围(3.5V至135V)内为外部功率MOSFET提供稳定可靠的栅极驱动电压。这种架构使得该器件能够直接驱动位于电源轨和负载之间的开关管,简化了高压侧开关的设计。
该芯片的功能特点突出其高速与坚固性。其具备快速的开关性能,典型上升和下降时间分别为90ns和40ns,这有助于降低开关损耗,提升系统整体效率。作为一款通过AEC-Q100认证的汽车级产品,它能够在-40°C至150°C的结温范围内稳定工作,满足汽车应用的可靠性要求。其内置的保护功能是其关键特性之一,能够有效防止因欠压、过压或异常开关条件导致的器件损坏,提升了系统的鲁棒性。对于需要可靠高压侧驱动的设计,通过专业的ADI代理商获取此元件是确保供应链稳定和产品正品质量的重要途径。
在接口与参数方面,LTC7000JMSE-1#WPBF采用单通道、非反相输入的逻辑接口,易于与微控制器或逻辑电路连接。其驱动配置为高端,专门用于驱动N沟道MOSFET,封装为节省空间的16引脚TFSOP表面贴装型,适合高密度PCB布局。宽泛的工作电压范围使其能够适应多种不同的电源总线电压,从低电压逻辑控制到高电压功率路径切换均可胜任。
基于其高性能与高可靠性,该器件的典型应用场景广泛。它非常适合用于汽车系统中的负载开关、电机驱动、电池保护电路以及燃油喷射驱动器等。在工业领域,则可应用于工业自动化、电源时序控制、热插拔保护和高压DC/DC转换器中的高端开关。其快速响应和强大的驱动能力使其成为需要高效率、高频率开关操作的功率转换系统的理想选择。
- 制造商产品型号:LTC7000JMSE-1#WPBF
- 制造商:AD/ADI(Analog Devices,亚德诺半导体)
- 描述:FAST 150V PROTECTED HI SIDE NMOS
- 产品系列:电源管理IC - 栅极驱动器
- 包装:管件
- 系列:Automotive, AEC-Q100
- 零件状态:有源
- 驱动配置:高端
- 通道类型:单路
- 驱动器数:1
- 栅极类型:N 沟道 MOSFET
- 电压-供电:3.5V ~ 135V
- 逻辑电压-VIL,VIH:-
- 电流-峰值输出(灌入,拉出):-
- 输入类型:非反相
- 高压侧电压-最大值(自举):-
- 上升/下降时间(典型值):90ns,40ns
- 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ)
- 安装类型:表面贴装型
- 产品封装:16-TFSOP(0.118,3.00mm 宽)12 引线,
- 更多产品技术参数细节,请下载技术文档后获取。
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