

LTC7000JMSE-1#TRPBF技术参数
- 制造厂商:ADI(Analog Devices,亚德诺半导体)
- 类别封装:电源管理IC - 栅极驱动器,产品封装:16-TFSOP(0.118,3.00mm 宽)12 引线,
- 技术参数:FAST 150V PROTECTED HI SIDE NMOS
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LTC7000JMSE-1#TRPBF技术参数详情说明:
LTC7000JMSE-1#TRPBF 是一款由亚德诺半导体(ADI)设计生产的高速、高压侧N沟道MOSFET栅极驱动器,隶属于通过AEC-Q100认证的汽车级产品系列。该器件采用先进的BCD工艺制造,其核心架构集成了一个能够承受高达150V工作电压的浮动自举电路,以及一个内部电荷泵,这使得它能够直接驱动一个高端N沟道MOSFET,而无需依赖额外的隔离电源或复杂的电平转换电路。这种设计极大地简化了高压侧开关应用的电源拓扑,同时提供了优异的可靠性和紧凑的解决方案尺寸。
该芯片的功能特点突出体现在其高速与鲁棒性上。其典型的上升和下降时间分别为90ns和40ns,确保了开关电源、电机驱动等应用中的高效率与低开关损耗。其宽范围的工作电压(3.5V至135V)使其能够灵活适应从12V汽车电池系统到48V/60V轻度混合动力系统,乃至更高电压的工业电源总线。作为一款通过AEC-Q100认证的器件,它能够在-40°C至150°C的严苛结温下稳定工作,完全满足汽车电子对高可靠性的要求。其内置的保护功能,包括欠压锁定(UVLO),为功率开关管提供了关键的安全保障。
在接口与参数方面,LTC7000JMSE-1#TRPBF 采用非反相输入逻辑,便于与微控制器或PWM控制器直接接口。它采用紧凑的12引线、16-TFSOP表面贴装封装,适合高密度PCB布局。其单通道、高端驱动的配置,专门为需要控制电源与负载之间连接的开关节点而优化。对于需要稳定供货和技术支持的工程师,可以通过ADI中国代理获取该器件的完整数据手册、评估板以及应用技术支持。
该器件的典型应用场景广泛覆盖汽车和工业领域。在汽车电子中,它非常适合用于驱动燃油喷射器、电磁阀、LED矩阵前照灯以及各类执行器的继电器替代方案。在工业领域,它可用于开关电源的同步整流拓扑、电机驱动逆变器的高压侧开关,以及需要高压侧功率控制的电池管理系统(BMS)和热插拔控制器。其高速、高压和耐高温的特性,使其成为在恶劣环境下实现高效、可靠功率开关控制的理想选择。
- 制造商产品型号:LTC7000JMSE-1#TRPBF
- 制造商:AD/ADI(Analog Devices,亚德诺半导体)
- 描述:FAST 150V PROTECTED HI SIDE NMOS
- 产品系列:电源管理IC - 栅极驱动器
- 包装:卷带(TR)
- 系列:Automotive, AEC-Q100
- 零件状态:有源
- 驱动配置:高端
- 通道类型:单路
- 驱动器数:1
- 栅极类型:N 沟道 MOSFET
- 电压-供电:3.5V ~ 135V
- 逻辑电压-VIL,VIH:-
- 电流-峰值输出(灌入,拉出):-
- 输入类型:非反相
- 高压侧电压-最大值(自举):-
- 上升/下降时间(典型值):90ns,40ns
- 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ)
- 安装类型:表面贴装型
- 产品封装:16-TFSOP(0.118,3.00mm 宽)12 引线,
- 更多产品技术参数细节,请下载技术文档后获取。
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