

LTC6101HVBIS5#TRM技术参数
- 制造厂商:ADI(Analog Devices,亚德诺半导体)
- 类别封装:线性器件 - 放大器 - 仪器、运算放大器、缓冲放大器,产品封装:-
- 技术参数:IC CURR SENSE 1 CIRCUIT TSOT23-5
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LTC6101HVBIS5#TRM技术参数详情说明:
作为一款高电压、高侧电流检测放大器,LTC6101HVBIS5#TRM的核心架构基于精密运算放大器与内置增益设置电阻的集成设计。其内部集成了匹配的薄膜电阻网络,构成了一个完整的高侧电流检测解决方案,能够直接测量位于电源正极与负载之间的检测电阻(Rsense)上的微小压降。这种架构允许器件在高达105V的共模电压下稳定工作,同时将检测信号以比例电压的形式从地电位输出,极大地简化了系统设计并提升了测量可靠性。
该器件的功能特点突出体现在其高精度、宽共模电压范围与低功耗的平衡上。它能够在-40°C至125°C的宽温度范围内保持优异的性能,输入失调电压极低,确保了电流检测的准确性。其输出为电压信号,与检测电流成线性比例关系,增益由内部固定电阻设定,消除了外部元件带来的误差和温度漂移问题。此外,其静态工作电流非常小,非常适合对功耗敏感的应用,例如电池供电系统或需要持续监控的能源管理设备。
在接口与关键参数方面,LTC6101HVBIS5#TRM采用紧凑的TSOT-23-5封装,非常适合空间受限的PCB布局。其工作电压范围宽,支持单电源供电,简化了电源设计。虽然原始参数列表中部分动态指标(如压摆率、带宽)未明确标注,但这通常意味着其在设计上针对直流和低频电流检测进行了优化,以实现最佳的精度和稳定性。对于需要获取完整技术规格、评估样品或进行批量采购的工程师,建议通过官方授权的ADI一级代理商渠道进行咨询,以确保获得正品支持和最新的产品信息。
该芯片的典型应用场景广泛覆盖了工业控制、汽车电子、通信基础设施和高端消费电子领域。具体而言,它非常适用于电机控制中的电流反馈、电源和电池管理系统的负载监测、电路保护中的过流检测,以及功率转换设备的效率评估。在这些场景中,其高侧检测能力使得监控电路无需干扰负载的地回路,从而保持了系统的完整性,而其高共模电压耐受性则使其能够轻松应对电机启动、负载突降等产生的电压瞬变,提供稳定可靠的监控数据。
- 制造商产品型号:LTC6101HVBIS5#TRM
- 制造商:AD/ADI(Analog Devices,亚德诺半导体)
- 描述:IC CURR SENSE 1 CIRCUIT TSOT23-5
- 产品系列:线性器件 - 放大器 - 仪器、运算放大器、缓冲放大器
- 包装:卷带(TR)
- 系列:-
- 零件状态:最後
- 放大器类型:-
- 电路数:-
- 输出类型:-
- 压摆率:-
- 增益带宽积:-
- -3db带宽:-
- 电流-输入偏置:-
- 电压-输入补偿:-
- 电流-供电:-
- 电流-输出/通道:-
- 电压-供电,单/双(±):-
- 工作温度:-
- 安装类型:-
- 产品封装:-
- 更多产品技术参数细节,请下载技术文档后获取。
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