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LTC4440ES6-5#TRPBF技术参数

  • 制造厂商:ADI(Analog Devices,亚德诺半导体)
  • 类别封装:电源管理IC - 栅极驱动器,产品封装:SOT-23-6 细型,TSOT-23-6
  • 技术参数:IC GATE DRVR HIGH-SIDE TSOT23-6
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LTC4440ES6-5#TRPBF技术参数详情说明:

LTC4440ES6-5#TRPBF 是一款由亚德诺半导体(Analog Devices Inc.)设计生产的高性能、单通道、高端N沟道MOSFET栅极驱动器。该器件采用紧凑的TSOT-23-6封装,集成了先进的自举电路,能够在4V至15V的宽泛电源电压下稳定工作,并支持高达80V的自举电压,为高压侧开关应用提供了可靠且高效的驱动解决方案。

其核心架构围绕一个非反相输入接口设计,逻辑阈值(VIL为1.3V,VIH为1.6V)与标准逻辑电平兼容,确保了与微控制器或逻辑电路的简易连接。驱动器内部集成了强大的输出级,能够提供高达2.4A的峰值拉电流和灌电流,这一特性使其能够快速地对功率MOSFET的栅极电容进行充放电。极短的上升和下降时间(典型值分别为10ns和7ns)显著降低了开关损耗,提升了整体电源转换效率,尤其适用于高频开关应用。

在接口与参数方面,该器件展现了卓越的鲁棒性。其工作结温范围覆盖-40°C至125°C,确保了在严苛工业环境下的稳定运行。表面贴装型的SOT-23-6细型封装不仅节省了宝贵的电路板空间,也优化了热性能。对于需要可靠供应链支持的工程师,通过ADI中国代理可以获得稳定的供货与技术资源。该驱动器的功能设计使其成为构建半桥、全桥或同步整流拓扑中高压侧驱动的理想选择。

在应用场景上,LTC4440ES6-5#TRPBF广泛适用于需要高效、高速开关的电源管理系统。其典型应用包括但不限于DC-DC转换器、电机驱动控制器、通信电源以及工业自动化设备中的功率级驱动。其高端驱动配置与快速开关能力相结合,能够有效管理功率流,提升系统响应速度与能效比,是工程师在追求高功率密度和可靠性设计时的关键组件。

  • 制造商产品型号:LTC4440ES6-5#TRPBF
  • 制造商:AD/ADI(Analog Devices,亚德诺半导体)
  • 描述:IC GATE DRVR HIGH-SIDE TSOT23-6
  • 产品系列:电源管理IC - 栅极驱动器
  • 包装:卷带(TR),剪切带(CT)
  • 系列:-
  • 零件状态:有源
  • 驱动配置:高端
  • 通道类型:单路
  • 驱动器数:1
  • 栅极类型:N 沟道 MOSFET
  • 电压-供电:4V ~ 15V
  • 逻辑电压-VIL,VIH:1.3V,1.6V
  • 电流-峰值输出(灌入,拉出):2.4A,2.4A
  • 输入类型:非反相
  • 高压侧电压-最大值(自举):80V
  • 上升/下降时间(典型值):10ns,7ns
  • 工作温度:-40°C ~ 125°C(TJ)
  • 安装类型:表面贴装型
  • 产品封装:SOT-23-6 细型,TSOT-23-6
  • 更多产品技术参数细节,请下载技术文档后获取。

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