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LTC4371IDD#PBF技术参数

  • 制造厂商:ADI(Analog Devices,亚德诺半导体)
  • 类别封装:电源管理IC - OR 控制器,理想二极管,封装:10-WFDFN
  • 技术参数:IC DIODE-OR CTLR MON 10DFN
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LTC4371IDD#PBF技术参数详情说明:

LTC4371IDD#PBF是一款由亚德诺半导体(ADI)设计生产的N+1 ORing控制器,采用10引脚DFN封装,专为高可靠性冗余电源系统而优化。该器件通过控制外部N沟道MOSFET,实现了一个近乎理想的二极管“或”功能,旨在替代传统肖特基二极管方案,以显著降低功率损耗、压降和热量产生,从而提升系统整体效率与可靠性。

其核心架构基于精密的模拟比较器和栅极驱动电路,持续监测外部MOSFET两端的电压(源极与漏极间压降)。当检测到正向电流时,控制器会完全增强MOSFET,实现极低的导通电阻;一旦检测到反向电流(例如某路输入电源失效),则会在微秒级时间内快速关断MOSFET,有效防止电流倒灌,保护健康的电源总线及其他并联电源。这种快速关断特性是构建稳健冗余系统的关键,确保了供电的连续性与安全性。

该芯片的功能特点突出体现在其宽工作电压范围低静态电流上。它支持-4.5V至-600V的宽输入电压范围,使其特别适用于-48V通信电源系统、AdvancedTCA平台等高负压应用场景。其典型静态电流仅为300A,有助于降低系统待机功耗。器件内部不集成功率开关,而是驱动外部MOSFET,这为设计提供了高度的灵活性,允许工程师根据具体的电流和电压需求选择最合适的MOSFET,从而实现从低功率到高功率应用的优化设计。

在接口与参数方面,LTC4371IDD#PBF设计简洁,主要接口包括用于连接外部MOSFET栅极的驱动引脚、用于检测电流方向的差分检测引脚以及电源引脚。其工作温度范围为工业级的-40°C至85°C,采用表面贴装封装,适合在严苛环境下稳定运行。对于需要可靠货源和技术支持的客户,可以通过授权的ADI代理商获取该器件及相关设计资源。

典型的应用场景集中于需要高可用性的基础设施领域。除了前述的-48V分布式电源和AdvancedTCA系统,它也广泛应用于服务器、网络设备、存储系统以及任何采用多路电源并联以实现N+1冗余备份的场合。通过使用该控制器,系统能够实现无缝的电源切换、减少热管理负担并延长设备寿命,是提升关键任务系统供电可靠性的高效解决方案。

  • 制造商产品型号:LTC4371IDD#PBF
  • 制造商:AD/ADI(Analog Devices,亚德诺半导体)
  • 描述:IC DIODE-OR CTLR MON 10DFN
  • 产品系列:电源管理IC - OR 控制器,理想二极管
  • 包装:管件
  • 系列:-
  • 零件状态:有源
  • 类型:N+1 ORing 控制器
  • FET类型:N 通道
  • 比率-输入:输出:2:1
  • 内部开关:无
  • 延迟时间-开启:-
  • 延迟时间-关闭:-
  • 电流-输出(最大值):-
  • 电流-供电:300A
  • 电压-供电:-4.5V ~ -600V
  • 应用:-48V Dist 电源系统,AdvancedTCA 系统
  • 工作温度:-40°C ~ 85°C
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装:10-WFDFN
  • 更多产品技术参数细节,请下载技术文档后获取。

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