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LTC4359CMS8#TRPBF技术参数

  • 制造厂商:ADI(Analog Devices,亚德诺半导体)
  • 类别封装:电源管理IC - OR 控制器,理想二极管,封装:8-TSSOP,8-MSOP(0.118,3.00mm 宽)
  • 技术参数:IC OR CTRLR N+1 8MSOP
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LTC4359CMS8#TRPBF技术参数详情说明:

LTC4359CMS8#TRPBF是一款由Analog Devices(ADI)设计生产的N+1 ORing控制器,采用紧凑的8引脚MSOP封装。该器件旨在通过控制外部N沟道MOSFET,实现多个电源输入到单一负载总线的理想二极管“或”功能,从而构建高可靠性冗余电源系统。其核心架构围绕一个精密的比较器与快速栅极驱动电路构建,能够持续监测外部MOSFET两端的电压降(源极与漏极之间),并与一个可编程的25mV门限进行比较,以此精确判断MOSFET的导通状态并防止反向电流。

该控制器的一个显著功能特点是其极快的关断响应速度,当检测到反向电流条件时,能在300纳秒内快速关断外部MOSFET,有效隔离故障电源,防止其拖垮公共总线。同时,其开启延迟时间被设定为200微秒,这有助于在系统启动或电源切换时避免浪涌电流和振荡,确保平稳的切换过程。器件本身集成了栅极电荷泵,能够驱动标准电平或逻辑电平的N-MOSFET,工作电压范围宽达4V至80V,使其能够适应从低电压到高电压的多种电源环境。其静态电流极低,供电电流典型值仅为150A,有助于降低系统待机功耗。

在接口与参数方面,LTC4359CMS8#TRPBF设计简洁,主要接口包括用于连接外部MOSFET栅极的Gate引脚、用于检测电压的Source和Drain引脚以及使能控制引脚。其宽泛的工作电压范围和快速的动态响应是其关键电气参数。对于需要稳定、长期供货和技术支持的客户,通过正规的ADI一级代理商进行采购是确保产品正品与供应链可靠性的重要途径。该器件的工作温度范围为0°C至70°C,采用表面贴装形式,适合自动化生产。

其典型应用场景广泛覆盖了对系统连续运行要求极高的领域。在电信和网络基础设施中,如路由器、交换机和基站,它用于实现电源模块的N+1冗余,确保某一路电源失效时系统供电不中断。在工业自动化和汽车电子(符合相关应用场景要求)中,该芯片可用于构建高可用的电源背板或电池备份切换系统,提升整体设备的可靠性与平均无故障时间。其快速关断特性对于保护敏感负载和防止总线电压崩溃至关重要。

  • 制造商产品型号:LTC4359CMS8#TRPBF
  • 制造商:AD/ADI(Analog Devices,亚德诺半导体)
  • 描述:IC OR CTRLR N+1 8MSOP
  • 产品系列:电源管理IC - OR 控制器,理想二极管
  • 包装:卷带(TR),剪切带(CT)
  • 系列:-
  • 零件状态:有源
  • 类型:N+1 ORing 控制器
  • FET类型:N 通道
  • 比率-输入:输出:N:1
  • 内部开关:无
  • 延迟时间-开启:200s
  • 延迟时间-关闭:300ns
  • 电流-输出(最大值):220A
  • 电流-供电:150A
  • 电压-供电:4V ~ 80V
  • 应用:汽车级,冗余电源,电信基础设施
  • 工作温度:0°C ~ 70°C(TA)
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装:8-TSSOP,8-MSOP(0.118,3.00mm 宽)
  • 更多产品技术参数细节,请下载技术文档后获取。

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