

LTC4358CDE#TRPBF技术参数
- 制造厂商:ADI(Analog Devices,亚德诺半导体)
- 类别封装:电源管理IC - OR 控制器,理想二极管,封装:14-WFDFN
- 技术参数:IC OR CTRLR N+1 14DFN
- 专注销售ADI电子元器件,承诺原装!现货当天发货!
- 您可通过电话、微信、QQ或邮件与销售代表联系询价及采购

LTC4358CDE#TRPBF技术参数详情说明:
LTC4358CDE#TRPBF是一款由亚德诺半导体(Analog Devices)设计生产的N+1 ORing控制器,属于电源管理IC中的理想二极管控制器系列。该器件采用14引脚DFN封装,表面贴装,工作温度范围为0°C至70°C,适用于构建高可用性的冗余电源系统。其核心架构旨在通过控制外部N沟道MOSFET,模拟近乎理想的二极管整流行为,从而实现多个电源输入之间的无缝切换与隔离,有效防止反向电流并提升系统可靠性。
该控制器具备多项关键功能特性。它内部集成驱动器,可直接驱动外部MOSFET,开启延迟时间典型值为200s,关断延迟时间极快,仅为300ns,这确保了在输入电源发生故障时能够迅速断开路径,防止故障扩散至公共总线。器件支持高达5A的输出电流,而其自身工作电流极低,典型值仅为600A,有助于降低系统待机功耗。其工作电压范围宽达9V至26.5V,兼容多种常见的中间总线电压。通过精确的栅极控制,它能够将MOSFET的压降维持在极低水平,显著降低传统肖特基二极管方案带来的功率损耗和热管理压力。
在接口与参数方面,LTC4358CDE#TRPBF设计用于控制N:1(即多输入单输出)的ORing拓扑。每个通道通过监测其输入电压与输出总线电压的差值来控制对应的MOSFET。当输入电压高于总线电压时,MOSFET迅速导通;一旦输入电压低于总线电压或出现故障,MOSFET将在微秒级时间内关断,实现电气隔离。这种快速响应机制是其作为“理想二极管”控制器的核心。用户可以通过ADI中国代理获取详细的设计支持与样品,以优化其在实际电路中的布局与参数选择。
该芯片典型的应用场景集中于对系统连续运行要求苛刻的领域。它非常适合用于服务器、网络通信设备、存储阵列的N+1冗余电源架构中,确保在主电源模块失效时,备用电源能够无间断地接管负载,实现零切换时间的高可用性供电。此外,在需要热插拔功能的板卡或模块、以及分布式电源系统中,它也能有效管理背板电源的ORing,防止因单点故障导致整个系统宕机,是提升电源系统鲁棒性和效率的关键组件。
- 制造商产品型号:LTC4358CDE#TRPBF
- 制造商:AD/ADI(Analog Devices,亚德诺半导体)
- 描述:IC OR CTRLR N+1 14DFN
- 产品系列:电源管理IC - OR 控制器,理想二极管
- 包装:卷带(TR)
- 系列:-
- 零件状态:有源
- 类型:N+1 ORing 控制器
- FET类型:N 通道
- 比率-输入:输出:N:1
- 内部开关:是
- 延迟时间-开启:200s
- 延迟时间-关闭:300ns
- 电流-输出(最大值):5A
- 电流-供电:600A
- 电压-供电:9V ~ 26.5V
- 应用:N+1 电源,高可用性
- 工作温度:0°C ~ 70°C
- 安装类型:表面贴装型
- 封装:14-WFDFN
- 更多产品技术参数细节,请下载技术文档后获取。
作为ADI代理商的战略合作伙伴,我们长期提供LTC4358CDE#TRPBF现货供应,支持技术选型与替代方案,欢迎咨询获取最新价格及资料。
除了LTC4358CDE#TRPBF之外,您可能对以下的产品型号也感兴趣:
















