

LTC4358CDE#PBF技术参数
- 制造厂商:ADI(Analog Devices,亚德诺半导体)
- 类别封装:电源管理IC - OR 控制器,理想二极管,封装:14-WFDFN
- 技术参数:IC OR CTRLR N+1 14DFN
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LTC4358CDE#PBF技术参数详情说明:
LTC4358CDE#PBF是一款由Analog Devices(ADI)设计生产的N+1 ORing控制器,采用14引脚DFN封装,专为构建高可用性冗余电源系统而优化。该器件通过控制外部N沟道MOSFET,实现了近乎理想的二极管“或”功能,旨在取代传统肖特基二极管方案,以显著降低功率损耗、压降和热管理需求,从而提升系统整体效率和可靠性。
其核心架构围绕快速比较器和精密栅极驱动电路构建。控制器持续监测其控制的MOSFET两端的电压(源极与漏极),通过动态调节栅极电压,使MOSFET在正向导通时模拟一个极低导通电阻的开关,在反向时则迅速关断以防止电流倒灌。这种主动控制机制实现了仅300纳秒的快速关断延迟,能有效隔离故障电源或输入,防止总线电压被拉低,确保负载供电的连续性。同时,其开启延迟被设定在200微秒,有助于避免因噪声或短暂扰动导致的误动作,提升了系统稳定性。
该器件集成了关键的保护与监控功能。它支持高达5A的输出电流,工作电压范围覆盖9V至26.5V,适用于常见的12V和24V中间总线架构。其静态工作电流典型值仅为600微A,有助于降低系统待机功耗。内部集成的MOSFET驱动器简化了外部电路设计,而通过ADI授权代理可以获得完整的设计支持与供应链保障。器件采用表面贴装型封装,工作温度范围为0°C至70°C,满足商业级应用环境要求。
在应用层面,LTC4358CDE#PBF是服务器、网络通信设备、存储系统和工业控制等高可用性基础设施的理想选择。它主要用于构建N+1冗余电源架构,其中多个电源模块通过ORing控制器并联为一个负载供电。当某个电源模块发生故障时,控制器能毫秒级内隔离该故障路径,由其余健康模块无缝接管负载,实现零中断切换。此外,它也适用于需要防止反向电流的负载点(PoL)转换器输入保护、电池备份系统以及热插拔电源模块,为关键系统提供了坚实的电源冗余与保护屏障。
- 制造商产品型号:LTC4358CDE#PBF
- 制造商:AD/ADI(Analog Devices,亚德诺半导体)
- 描述:IC OR CTRLR N+1 14DFN
- 产品系列:电源管理IC - OR 控制器,理想二极管
- 包装:管件
- 系列:-
- 零件状态:有源
- 类型:N+1 ORing 控制器
- FET类型:N 通道
- 比率-输入:输出:N:1
- 内部开关:是
- 延迟时间-开启:200s
- 延迟时间-关闭:300ns
- 电流-输出(最大值):5A
- 电流-供电:600A
- 电压-供电:9V ~ 26.5V
- 应用:N+1 电源,高可用性
- 工作温度:0°C ~ 70°C
- 安装类型:表面贴装型
- 封装:14-WFDFN
- 更多产品技术参数细节,请下载技术文档后获取。
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