

LTC4352IMS#TRPBF技术参数
- 制造厂商:ADI(Analog Devices,亚德诺半导体)
- 类别封装:电源管理IC - OR 控制器,理想二极管,封装:12-TSSOP(0.118,3.00mm 宽)
- 技术参数:IC OR CTRLR N+1 12MSOP
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LTC4352IMS#TRPBF技术参数详情说明:
LTC4352IMS#TRPBF是一款由Analog Devices(ADI)设计生产的N+1 ORing控制器,采用12引脚MSOP封装,专为构建高可靠性冗余电源系统而优化。该器件通过控制外部N沟道MOSFET,实现多个电源输入向一个公共负载总线的“或”(ORing)连接,其核心在于用主动控制的MOSFET取代传统的肖特基二极管,从而显著降低功率损耗和压降,提升系统整体效率。
该控制器内部集成了精密的比较器、栅极驱动电路和状态监测逻辑。其工作机理是持续监测外部MOSFET的漏源电压(VDS),当检测到电流反向(即VDS为负)时,表明该路电源电压低于总线电压,控制器会迅速关断对应的MOSFET,关断延迟时间典型值仅为200ns,能有效阻止电流从总线倒灌回失效或电压较低的电源。同时,在需要导通时,其开启延迟为250ns,确保了快速、平滑的切换。这种架构实现了近乎理想的二极管功能,同时避免了二极管固有的正向压降和热管理问题。
在接口与参数方面,LTC4352IMS#TRPBF设计灵活,其宽泛的2.9V至18V供电电压范围使其能适应多种电源轨。器件本身功耗极低,静态工作电流典型值为1.4mA。它不集成功率开关,而是驱动外部MOSFET,这赋予了设计者根据具体电流和电压需求选择最合适MOSFET的自由度,从而实现从低功率到高功率应用的扩展。其工作温度范围覆盖-40°C至85°C,确保了在严苛工业环境下的稳定运行。对于需要可靠供应链保障的客户,通过正规的ADI授权代理进行采购是确保产品正品与长期供货支持的关键。
该芯片的典型应用场景集中在需要极高可用性的领域。在电信和网络基础设施中,如路由器、交换机和基站,它用于实现电源模块的N+1冗余,确保单路电源故障时系统供电不中断。此外,在服务器、存储系统以及工业自动化控制系统中,它同样扮演着构建坚固电源背板的核心角色,通过无缝的电源切换保障关键负载的持续运行,是提升系统平均无故障时间(MTBF)的重要组件。
- 制造商产品型号:LTC4352IMS#TRPBF
- 制造商:AD/ADI(Analog Devices,亚德诺半导体)
- 描述:IC OR CTRLR N+1 12MSOP
- 产品系列:电源管理IC - OR 控制器,理想二极管
- 包装:卷带(TR),剪切带(CT)
- 系列:-
- 零件状态:有源
- 类型:N+1 ORing 控制器
- FET类型:N 通道
- 比率-输入:输出:N:1
- 内部开关:无
- 延迟时间-开启:250ns
- 延迟时间-关闭:200ns
- 电流-输出(最大值):-
- 电流-供电:1.4mA
- 电压-供电:2.9V ~ 18V
- 应用:冗余电源,电信基础结构
- 工作温度:-40°C ~ 85°C
- 安装类型:表面贴装型
- 封装:12-TSSOP(0.118,3.00mm 宽)
- 更多产品技术参数细节,请下载技术文档后获取。
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