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LTC4352HMS#TRPBF技术参数

  • 制造厂商:ADI(Analog Devices,亚德诺半导体)
  • 类别封装:电源管理IC - OR 控制器,理想二极管,封装:12-TSSOP(0.118,3.00mm 宽)
  • 技术参数:IC OR CTRLR N+1 12MSOP
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LTC4352HMS#TRPBF技术参数详情说明:

LTC4352HMS#TRPBF是一款由Analog Devices(ADI)设计生产的N+1 ORing控制器,采用紧凑的12引脚MSOP封装。该器件专为构建高可靠性冗余电源系统而设计,其核心架构围绕一个精密比较器和快速栅极驱动电路构建,通过监测外部N沟道MOSFET两端的电压降来实现理想的二极管“或”功能。与使用物理肖特基二极管相比,它能够显著降低正向压降和功率损耗,从而提升系统整体效率并减少散热需求。

该控制器的一个关键功能特点是其极快的开关响应速度。开启延迟时间仅为250纳秒,关闭延迟时间为200纳秒,这确保了在发生电源故障或切换时,负载电压能够被无缝、快速地保持,有效防止了反向电流和电压瞬变对系统造成的损害。其工作电压范围宽达2.9V至18V,静态工作电流低至1.4mA,使其非常适用于由电池或多种直流总线供电的场合。器件内部不集成功率开关,而是驱动外部MOSFET,这为设计提供了高度的灵活性,允许工程师根据具体的电流和电压要求选择最合适的MOSFET,从而实现从几安培到数百安培应用的功率扩展。

在接口与参数方面,LTC4352HMS#TRPBF通过监测外部MOSFET的源极和漏极电压来控制其栅极。当检测到正向压降(即电流正常流动)时,控制器使MOSFET完全导通;一旦检测到反向压降(可能发生反向电流),则会在200纳秒内快速关断MOSFET,如同一个理想的二极管。其工作温度范围覆盖-40°C至150°C,确保了在严苛工业环境下的稳定运行。对于需要可靠供应链和技术支持的客户,通过ADI授权代理可以获得正品元器件和完整的设计资源。

该芯片典型的应用场景包括需要高可用性的电信和网络基础设施设备、服务器、存储系统以及工业控制系统的冗余电源总线。在这些系统中,多个电源模块通过ORing控制器并联为一个负载供电,当其中一个电源发生故障时,控制器能迅速将其从总线上隔离,而由其余正常工作的电源继续为负载供电,从而实现系统的不间断运行。其表面贴装型封装也符合现代高密度PCB板的设计要求。

  • 制造商产品型号:LTC4352HMS#TRPBF
  • 制造商:AD/ADI(Analog Devices,亚德诺半导体)
  • 描述:IC OR CTRLR N+1 12MSOP
  • 产品系列:电源管理IC - OR 控制器,理想二极管
  • 包装:卷带(TR)
  • 系列:-
  • 零件状态:有源
  • 类型:N+1 ORing 控制器
  • FET类型:N 通道
  • 比率-输入:输出:N:1
  • 内部开关:无
  • 延迟时间-开启:250ns
  • 延迟时间-关闭:200ns
  • 电流-输出(最大值):-
  • 电流-供电:1.4mA
  • 电压-供电:2.9V ~ 18V
  • 应用:冗余电源,电信基础结构
  • 工作温度:-40°C ~ 150°C
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装:12-TSSOP(0.118,3.00mm 宽)
  • 更多产品技术参数细节,请下载技术文档后获取。

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