

LTC3829IFE#PBF技术参数
- 制造厂商:ADI(Analog Devices,亚德诺半导体)
- 类别封装:电源管理IC - 稳压器 - DC DC 开关式控制器,产品封装:38-TFSOP(0.173,4.40mm 宽)
- 技术参数:IC REG CTRLR BUCK 38TSSOP
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LTC3829IFE#PBF技术参数详情说明:
LTC3829IFE#PBF是一款由亚德诺半导体(Analog Devices)推出的高性能、多相降压开关控制器。该器件采用先进的PolyPhase多相架构,能够驱动三个独立的降压功率级,通过精确的相位交错控制,将输入电流和热损耗均匀地分配到各相,从而显著降低输入和输出电容的纹波电流,提升整体电源系统的效率和功率密度。其核心控制环路基于恒定频率、电流模式架构,提供了优异的瞬态响应和环路稳定性,适用于对噪声和动态性能要求苛刻的应用环境。
该控制器集成了多项关键功能特性以简化设计并提升可靠性。其宽输入电压范围(4.5V至38V)使其能够直接从工业总线或电池系统取电,适应多种电源场景。开关频率可在250kHz至770kHz范围内通过单个电阻进行编程,为设计师在效率、元件尺寸和EMI性能之间提供了灵活的权衡空间。高达94%的最大占空比支持低压差操作,在输入电压接近输出电压时仍能维持高效稳压。器件内置同步整流驱动,无需外部肖特基二极管,进一步优化了转换效率。丰富的控制特性是其另一大亮点,包括可编程软启动、电源良好指示、使能控制、频率控制以及精确的电流限制和输出跟踪功能,这些特性共同确保了系统启动、关断和故障保护过程的平稳与安全。
在接口与参数方面,LTC3829IFE#PBF通过紧凑的38引脚TSSOP封装实现表面贴装,工作结温范围为-40°C至125°C,确保其在严苛的工业温度环境下稳定运行。其输出配置为正压,驱动外部N沟道MOSFET,构成完整的降压转换器。对于需要可靠供应链和技术支持的客户,可以通过授权的ADI代理商获取该器件及相关设计资源。其参数组合,特别是多相输出、宽输入电压和可调频率,定义了其在空间受限且对效率、热管理和瞬态响应有高要求的应用中的核心优势。
基于其强大的性能组合,LTC3829IFE#PBF非常适合作为核心电源管理单元,广泛应用于电信和网络设备、工业自动化系统、高端计算服务器以及分布式电源架构中。它能够为FPGA、ASIC、微处理器和存储系统等负载点(PoL)提供高效、稳定且噪声较低的多路电源轨,尤其适合处理大电流、快速负载阶跃的应用场景,是构建高可靠性、高功率密度电源解决方案的理想选择。
- 制造商产品型号:LTC3829IFE#PBF
- 制造商:AD/ADI(Analog Devices,亚德诺半导体)
- 描述:IC REG CTRLR BUCK 38TSSOP
- 产品系列:电源管理IC - 稳压器 - DC DC 开关式控制器
- 包装:管件
- 系列:PolyPhase
- 零件状态:有源
- 输出类型:晶体管驱动器
- 功能:降压
- 输出配置:正
- 拓扑:降压
- 输出数:3
- 输出阶段:3
- 电压-供电(Vcc/Vdd):4.5V ~ 38V
- 频率-开关:250kHz ~ 770kHz
- 占空比(最大):94%
- 同步整流器:是
- 时钟同步:无
- 串行接口:-
- 控制特性:限流,使能,频率控制,电源良好,软启动,跟踪
- 工作温度:-40°C ~ 125°C(TJ)
- 安装类型:表面贴装型
- 产品封装:38-TFSOP(0.173,4.40mm 宽)
- 更多产品技术参数细节,请下载技术文档后获取。
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