

LTC3634EUFD#PBF技术参数
- 制造厂商:ADI(Analog Devices,亚德诺半导体)
- 类别封装:电源管理IC - 稳压器 - 特殊用途,产品封装:28-WFQFN
- 技术参数:IC REG CONV DDR 2OUT 28QFN
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LTC3634EUFD#PBF技术参数详情说明:
LTC3634EUFD#PBF是一款由Analog Devices设计生产的高性能、双通道、同步降压型开关稳压器,专门针对DDR(双倍数据速率)存储器终端电源(VTT)和基准电压(VDDQ)供电应用进行了优化。该器件采用28引脚QFN封装,集成了两个独立的电流模式控制器,能够在1.4V至15V的宽输入电压范围内稳定工作,为DDR2、DDR3、DDR4及低功耗DDR(LPDDR)系列存储器提供精确、高效的电源解决方案。
其核心架构基于两个180°反相工作的同步降压控制器,这种设计有效降低了输入电容的纹波电流,简化了输入滤波要求并提升了系统效率。每个通道均能独立产生一个可调的输出电压,范围在0.6V至3V之间,满足不同代际DDR存储器对VTT和VDDQ电压的精确需求。芯片内部集成了强大的N沟道MOSFET驱动器,可直接驱动外部功率MOSFET,从而提供高达数安培的输出电流能力,并允许设计人员根据具体的电流和效率要求灵活选择MOSFET。
该芯片的功能特点突出体现在其针对DDR应用的专用性上。它集成了跟踪与缓冲放大器,能够确保VTT输出电压精确跟踪二分之一的VDDQ电压(VTT = VDDQ/2),这是DDR存储器终端供电的关键要求,对于保证信号完整性和系统稳定性至关重要。此外,它具备主动VTT源出与吸入(Source/Sink)能力,可以无缝提供或吸收电流,以应对DDR数据总线在读写操作时快速变化的终端电流需求。其工作频率可通过外部电阻在250kHz至4MHz范围内设定,允许在效率与外部元件尺寸之间取得最佳平衡。
在接口与参数方面,LTC3634EUFD#PBF提供了丰富的控制与监控引脚。除了基本的使能(RUN)、软启动(SS)和频率设定(RT)引脚外,还包含用于实现VTT与VDDQ之间精确跟踪的跟踪(TRACK)引脚。其工作温度范围覆盖工业级的-40°C至125°C,确保了在苛刻环境下的可靠性。对于需要获取此器件进行设计或生产的工程师,可以通过授权的ADI代理商渠道获得完整的技术支持和供货保障。
在应用场景上,这款稳压器是服务器、工作站、网络设备、高端图形卡以及任何采用DDR内存的嵌入式系统的理想选择。其高效率、高精度和紧凑的解决方案尺寸,特别有助于满足现代高密度、高性能计算设备对电源管理提出的高效率、低噪声和小尺寸的严苛要求,是构建可靠DDR电源系统的核心组件。
- 制造商产品型号:LTC3634EUFD#PBF
- 制造商:AD/ADI(Analog Devices,亚德诺半导体)
- 描述:IC REG CONV DDR 2OUT 28QFN
- 产品系列:电源管理IC - 稳压器 - 特殊用途
- 包装:管件
- 系列:-
- 零件状态:有源
- 应用:转换器,DDR
- 电压-输入:1.4V ~ 15V
- 输出数:2
- 电压-输出:0.6V ~ 3V
- 工作温度:-40°C ~ 125°C
- 安装类型:表面贴装型
- 产品封装:28-WFQFN
- 更多产品技术参数细节,请下载技术文档后获取。
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