

LTC1843IS8#TRPBF技术参数
- 制造厂商:ADI(Analog Devices,亚德诺半导体)
- 类别封装:线性 - 比较器,产品封装:8-SOIC(0.154,3.90mm 宽)
- 技术参数:IC COMP ULTLOPWR W/REF DL 8SOIC
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LTC1843IS8#TRPBF技术参数详情说明:
LTC1843IS8#TRPBF是亚德诺半导体(Analog Devices)推出的一款双路、超低功耗、带内部电压基准的比较器。该器件采用先进的CMOS工艺设计,其核心架构围绕两个独立的高精度比较器和一个稳定的1.182V带隙基准电压源构建。这种集成设计不仅简化了外部电路,减少了元件数量,更确保了在宽电源电压和温度范围内,比较阈值具有极高的稳定性和可重复性,为系统设计提供了可靠的基础。
该芯片最突出的特性是其极低的静态功耗,每个比较器最大仅消耗5.7A的电流,使其成为电池供电或对功耗有严苛要求的便携式、远程监测设备的理想选择。其输出级采用开路漏极结构,提供了灵活的接口能力,可以轻松实现与不同逻辑电平(如3.3V或5V系统)的兼容,并支持“线与”功能。器件内部集成了约50mV的滞后电压,有效增强了抗噪声能力,防止在输入信号临界点附近产生输出振荡,提升了系统在嘈杂环境下的可靠性。同时,高达80dB的共模抑制比(CMRR)和电源抑制比(PSRR)确保了比较器对电源噪声和共模干扰的出色免疫力。
在电气参数方面,LTC1843IS8#TRPBF支持宽范围的单电源(2.5V至11V)或双电源(±1.25V至±5.5V)供电,提供了极大的设计灵活性。其最大输入失调电压在5V供电下仅为10mV,保证了比较精度。虽然12s的传播延迟并非针对高速应用,但对于绝大多数监控、检测和慢速控制场合而言已完全足够。该器件采用标准的8引脚SOIC封装,支持表面贴装工艺,工作温度范围覆盖工业级的-40°C至85°C,确保了其在各种严苛环境下的稳定运行。对于需要确保元器件来源可靠和获得完整技术支持的客户,建议通过正规的ADI授权代理进行采购。
基于其超低功耗、高集成度和稳健的性能,LTC1843IS8#TRPBF非常适合应用于一系列需要长时间运行或能量采集的系统中。典型应用包括电池供电设备中的电压监控与欠压锁定(UVLO)、窗口比较器、阈值检测器、便携式仪器仪表以及太阳能供电的远程传感器节点。其内部基准和双比较器结构也使其成为简易模数转换、脉冲宽度调制(PWM)生成等电路的优秀构建模块,能够以极简的外围电路实现复杂的监控与控制功能。
- 制造商产品型号:LTC1843IS8#TRPBF
- 制造商:AD/ADI(Analog Devices,亚德诺半导体)
- 描述:IC COMP ULTLOPWR W/REF DL 8SOIC
- 产品系列:线性 - 比较器
- 包装:卷带(TR)
- 系列:-
- 零件状态:有源
- 类型:带电压基准
- 元件数:2
- 输出类型:开路漏极
- 电压-供电,单/双(±):2.5V ~ 11V,±1.25V ~ 5.5V
- 电压-输入补偿(最大值):10mV @ 5V
- 电流-输入偏置(最大值):-
- 电流-输出(典型值):-
- 电流-静态(最大值):5.7A
- CMRR,PSRR(典型值):80dB CMRR,80dB PSRR
- 传播延迟(最大值):12s
- 滞后:50mV
- 工作温度:-40°C ~ 85°C
- 产品封装:8-SOIC(0.154,3.90mm 宽)
- 安装类型:表面贴装型
- 更多产品技术参数细节,请下载技术文档后获取。
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