

LTC1842IS8#PBF技术参数
- 制造厂商:ADI(Analog Devices,亚德诺半导体)
- 类别封装:线性 - 比较器,产品封装:8-SOIC(0.154,3.90mm 宽)
- 技术参数:IC COMP ULTLOPWR W/REF DL 8SOIC
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LTC1842IS8#PBF技术参数详情说明:
LTC1842IS8#PBF是亚德诺半导体(ADI)推出的一款双路、微功耗、带内部基准电压的比较器。该器件采用紧凑的8引脚SOIC封装,其设计核心围绕极低的静态功耗与高精度电压监测展开。内部集成了一个稳定的1.182V带隙基准电压源,为两个独立的比较器提供精确的阈值参考,从而简化了外部电路设计,提升了系统可靠性。其架构优化了在宽电源电压范围内的性能,确保在电池供电或低功耗应用中能够稳定工作。
该芯片的功能特点极为突出。首先,其超低的静态电流,最大值仅为5.7A,使其成为电池寿命敏感型应用的理想选择。其次,它具备出色的80dB共模抑制比(CMRR)和电源抑制比(PSRR),能够在嘈杂的电源环境或存在共模干扰的情况下保持精确的比较动作。每个比较器均采用开路漏极输出,提供了灵活的接口电平转换能力,并内置了约50mV的迟滞,有效防止了输入信号在阈值附近波动时导致的输出振荡。其最大输入失调电压在5V供电下为10mV,传播延迟最大为12s,在微功耗比较器中实现了速度与精度的良好平衡。
在接口与电气参数方面,LTC1842IS8#PBF支持宽范围的单电源(2.5V至11V)或双电源(±1.25V至±5.5V)供电,适应性极强。其工作温度范围覆盖工业标准的-40°C至85°C,确保了在严苛环境下的可靠性。表面贴装型的8-SOIC封装符合现代电子装配工艺要求。对于需要批量采购或技术支持的客户,可以通过授权的ADI代理获取完整的供应链服务与设计资源。
基于其微功耗、高精度和集成的基准电压,该芯片非常适合多种应用场景。它广泛应用于便携式医疗设备、远程无线传感器节点、电池供电的监控系统以及电源管理电路中的电压监测与复位生成。其双比较器设计允许同时监控两个不同的电压点,例如用于电池的过压和欠压保护,或者作为窗口比较器使用,极大地提升了设计的集成度和效率。
- 制造商产品型号:LTC1842IS8#PBF
- 制造商:AD/ADI(Analog Devices,亚德诺半导体)
- 描述:IC COMP ULTLOPWR W/REF DL 8SOIC
- 产品系列:线性 - 比较器
- 包装:管件
- 系列:-
- 零件状态:有源
- 类型:带电压基准
- 元件数:2
- 输出类型:开路漏极
- 电压-供电,单/双(±):2.5V ~ 11V,±1.25V ~ 5.5V
- 电压-输入补偿(最大值):10mV @ 5V
- 电流-输入偏置(最大值):-
- 电流-输出(典型值):-
- 电流-静态(最大值):5.7A
- CMRR,PSRR(典型值):80dB CMRR,80dB PSRR
- 传播延迟(最大值):12s
- 滞后:50mV
- 工作温度:-40°C ~ 85°C
- 产品封装:8-SOIC(0.154,3.90mm 宽)
- 安装类型:表面贴装型
- 更多产品技术参数细节,请下载技术文档后获取。
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