

LTC1444IDHD#TRPBF技术参数
- 制造厂商:ADI(Analog Devices,亚德诺半导体)
- 类别封装:线性 - 比较器,产品封装:16-WFDFN
- 技术参数:IC COMP QD LP 1.221VREF 16-DFN
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LTC1444IDHD#TRPBF技术参数详情说明:
LTC1444IDHD#TRPBF是亚德诺半导体(ADI)推出的一款高性能、低功耗四路比较器集成电路,采用紧凑的16引脚DFN封装,专为需要精密电压监测和阈值检测的便携式及电池供电系统而设计。该器件集成了四个独立的比较器通道和一个高精度1.221V带隙电压基准,每个比较器均具备极低的静态电流,典型值仅为8.5A,使其在2V至11V的单电源或±1V至±5.5V的双电源供电下,都能实现出色的能效比,非常适合对功耗敏感的应用环境。
其核心架构围绕低功耗与高精度平衡进行优化。每个比较器单元采用精密的输入级设计,最大输入失调电压低至10mV(@5V),确保了阈值检测的准确性。器件内部集成的1.221V电压基准为所有比较器提供了一个稳定的参考点,用户可以通过外部电阻网络灵活设置不同的触发阈值。输出级提供了CMOS、开路漏极和TTL兼容的多种输出类型,赋予了设计者极大的接口灵活性,能够直接驱动逻辑电路或通过上拉电阻连接至不同的电压域。此外,芯片内置了约50mV的滞后电压,有效增强了抗噪声能力,防止在阈值点附近的输入信号波动导致输出振荡。
在电气参数方面,LTC1444IDHD#TRPBF展现了卓越的电源抑制比(PSRR)和共模抑制比(CMRR),典型值均达到80dB,这使其在电源电压波动或存在共模噪声的恶劣环境中也能保持稳定的性能。其传播延迟最大值为12s,在低功耗比较器中属于优秀水平,能够满足多数中低速监测和控制回路的需求。该器件的工作温度范围覆盖工业级标准的-40°C至85°C,确保了在严苛环境下的可靠性。对于需要稳定供货和技术支持的客户,可以通过授权的ADI一级代理商获取此型号芯片及相关设计资源。
基于其低功耗、多通道和内置基准的特性,LTC1444IDHD#TRPBF广泛应用于电池供电设备(如手持仪表、医疗监测设备)的电源监控与欠压锁定(UVLO)、窗口比较器电路、阈值报警系统以及多路传感器信号电平检测。其表面贴装型(SMT)的16-WFDFN封装也符合现代电子产品小型化、高密度的设计趋势。
- 制造商产品型号:LTC1444IDHD#TRPBF
- 制造商:AD/ADI(Analog Devices,亚德诺半导体)
- 描述:IC COMP QD LP 1.221VREF 16-DFN
- 产品系列:线性 - 比较器
- 包装:卷带(TR)
- 系列:-
- 零件状态:有源
- 类型:带电压基准
- 元件数:4
- 输出类型:CMOS,开路漏极,TTL
- 电压-供电,单/双(±):2V ~ 11V,±1V ~ 5.5V
- 电压-输入补偿(最大值):10mV @ 5V
- 电流-输入偏置(最大值):-
- 电流-输出(典型值):0.015mA @ 5V
- 电流-静态(最大值):8.5A
- CMRR,PSRR(典型值):80dB CMRR,80dB PSRR
- 传播延迟(最大值):12s
- 滞后:50mV
- 工作温度:-40°C ~ 85°C
- 产品封装:16-WFDFN
- 安装类型:表面贴装型
- 更多产品技术参数细节,请下载技术文档后获取。
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