LTC1444CDHD#TRPBF技术参数

作为一款由亚德诺半导体（Analog Devices）设计的高集成度四路比较器，LTC1444CDHD#TRPBF在单颗芯片内集成了四个独立的精密电压比较器和一个高精度1.221V带隙基准电压源。其核心架构采用了低功耗CMOS工艺，确保每个比较器在提供快速响应的同时，将静态电流消耗控制在极低的水平。这种设计使得该器件能够在宽电源电压范围内稳定工作，非常适合由电池供电或对功耗有严格限制的便携式与远程监测应用。

该器件的功能特点突出体现在其卓越的电源抑制比（80dB PSRR）和共模抑制比（80dB CMRR）上，这保证了即使在供电电压波动或输入共模噪声较大的环境下，比较器仍能维持精准的阈值判断。每个比较器均内置了50mV的迟滞，有效防止了在阈值点附近因输入信号噪声而导致的输出振荡，提升了系统可靠性。其输出级设计灵活，支持CMOS推挽、开路漏极和TTL兼容输出，用户可根据后级电路逻辑电平需求进行配置，增强了设计的通用性。对于需要可靠供应链支持的客户，可以通过专业的ADI芯片代理获取该产品及相关技术支持。

在接口与电气参数方面，LTC1444CDHD#TRPBF支持单电源2V至11V或双电源±1V至±5.5V的宽范围供电。其典型传播延迟为12s，输入失调电压最大值在5V供电下仅为10mV，确保了比较响应的速度和精度。尤为突出的是其超低的功耗表现，每个比较器的静态电流典型值极低，整芯片最大静态电流仅为8.5A，输出电流能力典型值为0.015mA @ 5V。器件采用节省空间的16引脚DFN（16-WFDFN）表面贴装封装，以卷带（TR）形式提供，便于自动化贴装生产，工作温度范围覆盖0°C至70°C。

基于其低功耗、高集成度和高精度的特性，该芯片广泛应用于多种场景。它是电池供电设备中电压监控、窗口比较器以及过压/欠压保护电路的理想选择。在工业控制领域，可用于阈值检测、传感器信号调理和逻辑电平转换。其四路比较器与内部基准的集成，也简化了多通道数据采集系统、便携式仪表以及需要多个设定点监控的电源管理单元的设计，显著减少了外部元件数量和整体方案尺寸。

• 制造商产品型号：LTC1444CDHD#TRPBF
• 制造商：AD/ADI（Analog Devices，亚德诺半导体）
• 描述：IC COMP QD LP 1.221VREF 16-DFN
• 产品系列：线性 - 比较器
• 包装：卷带（TR）
• 系列：-
• 零件状态：有源
• 类型：带电压基准
• 元件数：4
• 输出类型：CMOS，开路漏极，TTL
• 电压-供电，单/双(±)：2V ~ 11V，±1V ~ 5.5V
• 电压-输入补偿（最大值）：10mV @ 5V
• 电流-输入偏置（最大值）：-
• 电流-输出（典型值）：0.015mA @ 5V
• 电流-静态（最大值）：8.5A
• CMRR，PSRR（典型值）：80dB CMRR，80dB PSRR
• 传播延迟（最大值）：12s
• 滞后：50mV
• 工作温度：0°C ~ 70°C
• 产品封装：16-WFDFN
• 安装类型：表面贴装型
• 更多产品技术参数细节，请下载技术文档后获取。

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