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LTC1255CS8#TRPBF技术参数

  • 制造厂商:ADI(Analog Devices,亚德诺半导体)
  • 类别封装:电源管理IC - 栅极驱动器,产品封装:8-SOIC(0.154,3.90mm 宽)
  • 技术参数:IC GATE DRVR HIGH-SIDE 8SOIC
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LTC1255CS8#TRPBF技术参数详情说明:

LTC1255CS8#TRPBF是一款由亚德诺半导体(ADI)设计生产的高性能高端栅极驱动器芯片。该器件采用8引脚SOIC封装,专为表面贴装应用而优化,其核心设计旨在高效、可靠地驱动N沟道功率MOSFET,特别适用于需要将负载连接到电源正极(高端)的开关电路拓扑。

该芯片采用独立式双通道架构,每个通道均可独立控制一个高端开关。其内部集成了自举电路所需的关键元件,简化了外部电路设计。芯片的逻辑输入兼容TTL和CMOS电平,输入阈值经过优化,具有0.8V的低电平输入最大值(VIL)和2V的高电平输入最小值(VIH),这确保了在嘈杂的工业环境中也能实现稳定可靠的逻辑控制,有效防止误触发。其非反相的输入逻辑使得控制信号直观,便于系统设计。

在电气特性方面,LTC1255CS8#TRPBF拥有宽范围的工作电源电压,支持9V至24V的供电,这使其能够灵活适配多种系统电压轨。其驱动输出级针对快速开关进行了优化,能够提供强大的峰值电流以快速对MOSFET的栅极电容进行充放电,从而显著降低开关损耗,提升整体系统效率。尽管具体峰值电流和上升/下降时间参数未在基础规格中详列,但其作为ADI电源管理家族的一员,继承了该系列在开关速度与驱动能力方面的优良特性。器件的工作温度范围为0°C至70°C,覆盖了广泛的商业应用环境。

得益于其高端驱动配置和稳健的性能,这款驱动器非常适合应用于电机控制、开关电源(SMPS)中的同步整流、DC-DC转换器的高端开关以及各类半桥拓扑中。在这些场景中,它能够有效替代分立元件搭建的驱动电路,提供更紧凑的解决方案和更高的可靠性。对于需要批量采购或技术支持的客户,可以通过授权的ADI代理获取完整的规格书、评估板以及深入的设计支持服务。

  • 制造商产品型号:LTC1255CS8#TRPBF
  • 制造商:AD/ADI(Analog Devices,亚德诺半导体)
  • 描述:IC GATE DRVR HIGH-SIDE 8SOIC
  • 产品系列:电源管理IC - 栅极驱动器
  • 包装:卷带(TR),剪切带(CT)
  • 系列:-
  • 零件状态:有源
  • 驱动配置:高端
  • 通道类型:独立式
  • 驱动器数:2
  • 栅极类型:N 沟道 MOSFET
  • 电压-供电:9V ~ 24V
  • 逻辑电压-VIL,VIH:0.8V,2V
  • 电流-峰值输出(灌入,拉出):-
  • 输入类型:非反相
  • 高压侧电压-最大值(自举):-
  • 上升/下降时间(典型值):-
  • 工作温度:0°C ~ 70°C(TA)
  • 安装类型:表面贴装型
  • 产品封装:8-SOIC(0.154,3.90mm 宽)
  • 更多产品技术参数细节,请下载技术文档后获取。

作为ADI代理商的战略合作伙伴,我们长期提供LTC1255CS8#TRPBF现货供应,支持技术选型与替代方案,欢迎咨询获取最新价格及资料。

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