

LT8672IMS#PBF技术参数
- 制造厂商:ADI(Analog Devices,亚德诺半导体)
- 类别封装:电源管理IC - 栅极驱动器,产品封装:10-TFSOP,10-MSOP(0.118,3.00mm 宽)
- 技术参数:IC GATE DRVR HIGH-SIDE 10MSOP
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LT8672IMS#PBF技术参数详情说明:
LT8672IMS#PBF是一款由亚德诺半导体(ADI)设计的高性能、单通道、高端N沟道MOSFET栅极驱动器。该器件采用紧凑的10-MSOP封装,专为在严苛的工业与汽车环境中提供可靠、高效的功率开关控制而设计。其核心架构围绕一个坚固的高压电平转换器构建,能够在高达42V的电源电压下稳定工作,并确保逻辑输入与高压栅极驱动输出之间的安全、精确隔离。这种设计有效简化了系统布局,同时提供了出色的抗噪能力和稳定性,是驱动高侧开关的理想选择。
该驱动器具备多项关键功能特性,以满足现代电源系统的需求。其宽范围的工作电压(3V至42V)使其能够直接兼容多种电源轨,从低电压逻辑电源到汽车电池电压,应用灵活性极高。作为一款高端驱动器,它内置了自举二极管,简化了外部电路设计,仅需一个外部电容即可为高侧驱动生成浮动电源。其非反相输入逻辑与TTL/CMOS电平兼容,便于与微控制器或逻辑电路直接接口,实现简洁的控制环路。此外,器件集成了欠压锁定(UVLO)保护功能,确保在电源电压不足时栅极输出保持关断状态,防止MOSFET进入线性区而损坏,提升了系统的整体可靠性。
在接口与电气参数方面,LT8672IMS#PBF展现出卓越的鲁棒性。其设计能够承受负瞬态电压,符合汽车应用的严苛要求。虽然原始参数中未明确指定峰值驱动电流,但其输出级经过优化,能够提供快速、有力的开关动作,从而最小化MOSFET的开关损耗,提升系统效率。器件的工作结温范围覆盖-40°C至125°C,确保其在极端温度环境下仍能稳定运行。其表面贴装型封装(10-TFSOP/MSOP)节省了宝贵的电路板空间,非常适合高密度电源模块设计。对于需要稳定供应和专业技术支持的客户,可以通过授权的ADI芯片代理获取此型号及相关设计资源。
基于其坚固耐用的特性,LT8672IMS#PBF广泛应用于需要高侧开关控制的场景。在汽车电子领域,它常用于驱动燃油喷射器、继电器、电机控制模块以及LED照明系统中的高侧开关。在工业自动化中,它适用于PLC(可编程逻辑控制器)输出模块、电磁阀驱动以及各类电源转换拓扑中的高侧开关管驱动。其宽压范围和强大的保护功能,使其成为构建高效、可靠开关电源、DC-DC转换器以及电池管理系统(BMS)中保护开关的理想驱动解决方案。
- 制造商产品型号:LT8672IMS#PBF
- 制造商:AD/ADI(Analog Devices,亚德诺半导体)
- 描述:IC GATE DRVR HIGH-SIDE 10MSOP
- 产品系列:电源管理IC - 栅极驱动器
- 包装:管件
- 系列:-
- 零件状态:有源
- 驱动配置:高端
- 通道类型:单路
- 驱动器数:1
- 栅极类型:N 沟道 MOSFET
- 电压-供电:3V ~ 42V
- 逻辑电压-VIL,VIH:-
- 电流-峰值输出(灌入,拉出):-
- 输入类型:非反相
- 高压侧电压-最大值(自举):-
- 上升/下降时间(典型值):-
- 工作温度:-40°C ~ 125°C(TJ)
- 安装类型:表面贴装型
- 产品封装:10-TFSOP,10-MSOP(0.118,3.00mm 宽)
- 更多产品技术参数细节,请下载技术文档后获取。
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