

LT8672HMS#TRPBF技术参数
- 制造厂商:ADI(Analog Devices,亚德诺半导体)
- 类别封装:电源管理IC - 栅极驱动器,产品封装:10-TFSOP,10-MSOP(0.118,3.00mm 宽)
- 技术参数:IC GATE DRVR HIGH-SIDE 10MSOP
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LT8672HMS#TRPBF技术参数详情说明:
LT8672HMS#TRPBF 是一款由亚德诺半导体(Analog Devices)设计生产的高性能、单通道、高端栅极驱动器。该器件采用紧凑的10引脚MSOP封装,专为驱动N沟道功率MOSFET而优化,其核心架构旨在提供稳定可靠的驱动能力,同时最大限度地简化外部电路设计。内部集成了自举二极管和电荷泵电路,使得在单电源供电条件下,能够高效地为高端开关提供高于电源电压的栅极驱动电压,从而确保MOSFET在饱和区的完全导通。
该驱动器具备宽范围的工作电压,支持从3V到42V的供电输入,这使其能够灵活适配多种系统电源轨。高达150°C的结温工作能力确保了其在严苛环境下的稳定性和可靠性。其非反相的逻辑输入接口兼容广泛的控制器信号,简化了与微控制器或逻辑电路的连接。对于需要可靠供应链和技术支持的客户,通过专业的ADI一级代理商进行采购,可以获得原厂品质保证和全面的应用支持。
在功能实现上,LT8672HMS#TRPBF专注于提供简洁高效的驱动解决方案。其设计消除了对外部离散自举二极管的需求,不仅节省了PCB空间和物料成本,还提升了系统的整体可靠性。器件内部集成了欠压锁定(UVLO)保护功能,能够在电源电压不足时确保功率管处于安全的关断状态,防止误操作导致的系统故障。这种高度集成的设计理念,使得工程师能够快速部署高性能的功率开关驱动电路。
从应用场景来看,这款栅极驱动器非常适合用于需要高效、可靠高端开关控制的场合。典型应用包括DC-DC转换器中的同步整流上管驱动、电机控制中的H桥高端驱动、以及工业自动化设备中的高边负载开关等。其宽电压范围和高温工作特性,尤其能满足汽车电子、工业电源和通信基础设施等领域对鲁棒性和耐久性的高要求。表面贴装的封装形式也完全符合现代电子设备高密度组装的生产趋势。
- 制造商产品型号:LT8672HMS#TRPBF
- 制造商:AD/ADI(Analog Devices,亚德诺半导体)
- 描述:IC GATE DRVR HIGH-SIDE 10MSOP
- 产品系列:电源管理IC - 栅极驱动器
- 包装:卷带(TR)
- 系列:-
- 零件状态:有源
- 驱动配置:高端
- 通道类型:单路
- 驱动器数:1
- 栅极类型:N 沟道 MOSFET
- 电压-供电:3V ~ 42V
- 逻辑电压-VIL,VIH:-
- 电流-峰值输出(灌入,拉出):-
- 输入类型:非反相
- 高压侧电压-最大值(自举):-
- 上升/下降时间(典型值):-
- 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ)
- 安装类型:表面贴装型
- 产品封装:10-TFSOP,10-MSOP(0.118,3.00mm 宽)
- 更多产品技术参数细节,请下载技术文档后获取。
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