

LT8672HDDB#TRMPBF技术参数
- 制造厂商:ADI(Analog Devices,亚德诺半导体)
- 类别封装:电源管理IC - 栅极驱动器,产品封装:10-WFDFN
- 技术参数:IC GATE DRVR HIGH-SIDE 10DFN
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LT8672HDDB#TRMPBF技术参数详情说明:
LT8672HDDB#TRMPBF 是一款由亚德诺半导体(Analog Devices)设计的高性能、单通道、高端栅极驱动器集成电路。该器件采用先进的工艺和架构,旨在为N沟道功率MOSFET提供高效、可靠的驱动解决方案,其核心设计聚焦于在宽输入电压范围内实现稳定、快速的开关控制,同时具备优异的鲁棒性以应对严苛的工业环境。
该驱动器采用非反相输入逻辑,简化了系统控制环路的设计。其宽泛的3V至42V供电电压范围使其能够灵活适配多种电源轨,从低电压逻辑电平到标准的12V、24V工业总线均可直接兼容。作为一款高端驱动器,它集成了自举电路所需的关键功能,能够有效地为驱动高侧开关提供所需的浮动电源,简化了高边开关应用中的电源设计复杂性。其设计确保了在开关瞬态过程中的稳定运行,减少了因电压尖峰导致的误触发风险。
在接口与参数方面,LT8672HDDB#TRMPBF采用紧凑的10引脚DFN(10-WFDFN)表面贴装封装,非常适合高密度PCB布局。其工作结温范围覆盖-40°C至150°C,确保了器件在极端温度环境下的可靠性与长寿命,满足汽车、工业自动化等领域的严格要求。该器件支持卷带(TR)和剪切带(CT)包装,便于自动化贴片生产,提升制造效率。用户可以通过正规的ADI授权代理渠道获取原装正品,以保证供应链的可靠性和技术支持。
得益于其稳健的性能,LT8672HDDB#TRMPBF非常适合应用于需要高侧功率开关控制的场景。典型应用包括电机驱动系统(如无刷直流电机或步进电机的高边驱动)、工业电源转换与开关电路、汽车系统中的负载开关与执行器驱动,以及任何基于半桥或高侧拓扑的电源管理方案。其高集成度和可靠性有助于工程师简化设计,减少外部元件数量,从而构建更紧凑、更高效的功率电子系统。
- 制造商产品型号:LT8672HDDB#TRMPBF
- 制造商:AD/ADI(Analog Devices,亚德诺半导体)
- 描述:IC GATE DRVR HIGH-SIDE 10DFN
- 产品系列:电源管理IC - 栅极驱动器
- 包装:卷带(TR),剪切带(CT)
- 系列:-
- 零件状态:有源
- 驱动配置:高端
- 通道类型:单路
- 驱动器数:1
- 栅极类型:N 沟道 MOSFET
- 电压-供电:3V ~ 42V
- 逻辑电压-VIL,VIH:-
- 电流-峰值输出(灌入,拉出):-
- 输入类型:非反相
- 高压侧电压-最大值(自举):-
- 上升/下降时间(典型值):-
- 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ)
- 安装类型:表面贴装型
- 产品封装:10-WFDFN
- 更多产品技术参数细节,请下载技术文档后获取。
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