LT8672EDDB#TRPBF技术参数

LT8672EDDB#TRPBF是一款由亚德诺半导体（Analog Devices）设计生产的高性能、高侧N沟道MOSFET栅极驱动器。该器件采用紧凑的10引脚DFN封装，专为在严苛的工业与汽车环境中驱动高端开关而优化。其核心架构围绕一个坚固的驱动级构建，集成了自举二极管和先进的电平转换电路，能够在宽达3V至42V的电源电压范围内稳定工作，确保对功率MOSFET栅极的精准、可靠控制。

该驱动器具备出色的鲁棒性与适应性。其单通道、非反相输入设计简化了控制逻辑接口，可直接与微控制器或逻辑电路连接。器件内部集成了欠压锁定（UVLO）保护功能，防止在电源电压不足时驱动MOSFET进入不完全导通状态，从而避免功率损耗和热应力。得益于其高端驱动配置，LT8672EDDB#TRPBF非常适合用于需要开关节点浮地的拓扑结构，例如在半桥或全桥电路的高侧位置，或者在升压转换器中驱动同步整流管。

在接口与关键参数方面，该芯片支持宽范围的工作电压，覆盖了从低至3V的逻辑电平到高达42V的工业总线电压，使其具备极强的系统兼容性。其工作结温范围扩展至-40°C至125°C，确保了在极端温度环境下的可靠运行。表面贴装的10-DFN封装不仅节省了宝贵的电路板空间，还提供了良好的热性能。对于需要稳定供应链和技术支持的客户，可以通过专业的ADI芯片代理获取该产品及相关设计资源。

基于上述特性，LT8672EDDB#TRPBF的应用场景主要集中于对效率和可靠性要求极高的领域。在汽车电子中，它可用于驱动燃油喷射器、电机控制单元中的高侧开关，或LED照明驱动。在工业自动化领域，它是伺服驱动器、电源模块和DC-DC转换器中高侧功率级驱动的理想选择。其宽压工作能力和宽温范围也使其适用于通信基础设施和需要高压侧开关控制的各种便携式或固定式电源管理系统。

• 制造商产品型号：LT8672EDDB#TRPBF
• 制造商：AD/ADI（Analog Devices，亚德诺半导体）
• 描述：IC GATE DRVR HIGH-SIDE 10DFN
• 产品系列：电源管理IC - 栅极驱动器
• 包装：卷带（TR）
• 系列：-
• 零件状态：有源
• 驱动配置：高端
• 通道类型：单路
• 驱动器数：1
• 栅极类型：N 沟道 MOSFET
• 电压-供电：3V ~ 42V
• 逻辑电压-VIL，VIH：-
• 电流-峰值输出（灌入，拉出）：-
• 输入类型：非反相
• 高压侧电压-最大值（自举）：-
• 上升/下降时间（典型值）：-
• 工作温度：-40°C ~ 125°C（TJ）
• 安装类型：表面贴装型
• 产品封装：10-WFDFN
• 更多产品技术参数细节，请下载技术文档后获取。

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