LT8672EDDB#TRMPBF技术参数

LT8672EDDB#TRMPBF是一款由亚德诺半导体（ADI）设计生产的高性能、高侧N沟道MOSFET栅极驱动器。该器件采用先进的工艺和架构，旨在为需要高侧开关控制的应用提供可靠、高效的驱动解决方案。其核心设计围绕一个能够承受宽范围供电电压的单通道驱动器构建，内部集成了自举二极管和电平转换电路，简化了外部电路设计，同时确保了在恶劣电气环境下的稳定运行。

该驱动器具备3V至42V的宽范围工作电压，使其能够灵活适配多种电源轨，从低电压逻辑系统到工业级高压总线均可直接兼容。其非反相输入逻辑简化了与微控制器或数字信号处理器的接口设计，用户仅需提供标准的逻辑电平信号即可实现精准的功率开关控制。器件采用10引脚DFN封装，具有优异的热性能和紧凑的占板面积，非常适合高密度PCB布局。工作温度范围覆盖-40°C至125°C的结温，确保了其在汽车、工业等严苛环境下的长期可靠性。对于需要稳定供货和技术支持的客户，可以通过授权的ADI代理获取该产品及相关设计资源。

在电气参数方面，LT8672EDDB#TRMPBF专为驱动大功率N沟道MOSFET而优化。其高侧驱动架构允许将MOSFET放置在电源轨和负载之间，是实现同步整流、电机控制、电源开关等拓扑的理想选择。宽供电电压范围直接支持从电池供电设备到24V/48V工业系统的应用，而集成的自举功能则省去了外部离散二极管的需要，既节省了空间又提升了系统效率。其稳健的设计能够有效应对开关过程中的电压尖峰和噪声干扰。

基于其技术特性，LT8672EDDB#TRMPBF广泛应用于多个领域。在汽车电子中，它可用于驱动燃油喷射器、LED矩阵照明或各类电磁阀。在工业自动化领域，它是电机驱动、PLC输出模块和热插拔控制电路的可靠选择。此外，在通信基础设施、服务器电源的DC-DC转换器以及电池管理系统中，该器件也能发挥关键作用，提供高效、可靠的功率开关驱动能力。

• 制造商产品型号：LT8672EDDB#TRMPBF
• 制造商：AD/ADI（Analog Devices，亚德诺半导体）
• 描述：IC GATE DRVR HIGH-SIDE 10DFN
• 产品系列：电源管理IC - 栅极驱动器
• 包装：卷带（TR）,剪切带（CT）
• 系列：-
• 零件状态：有源
• 驱动配置：高端
• 通道类型：单路
• 驱动器数：1
• 栅极类型：N 沟道 MOSFET
• 电压-供电：3V ~ 42V
• 逻辑电压-VIL，VIH：-
• 电流-峰值输出（灌入，拉出）：-
• 输入类型：非反相
• 高压侧电压-最大值（自举）：-
• 上升/下降时间（典型值）：-
• 工作温度：-40°C ~ 125°C（TJ）
• 安装类型：表面贴装型
• 产品封装：10-WFDFN
• 更多产品技术参数细节，请下载技术文档后获取。

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