

LT6700MPDCB-3#TRM技术参数
- 制造厂商:ADI(Analog Devices,亚德诺半导体)
- 类别封装:线性 - 比较器,产品封装:6-WFDFN
- 技术参数:IC COMP DUAL 400MV REF 6-DFN
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LT6700MPDCB-3#TRM技术参数详情说明:
作为一款采用Over-The-Top架构的精密比较器,LT6700MPDCB-3#TRM的核心设计使其能够在输入信号远高于其自身供电电压的条件下稳定工作。这一特性得益于其独特的内部电路设计,允许输入共模范围扩展至供电轨以上,极大地简化了在高压侧监测或电平转换应用中的电路设计复杂度,无需额外的电平移位电路。
该器件集成了两个独立的比较器通道,每个通道均内置一个精准的400mV电压基准,确保了阈值设定的高精度与稳定性。其输出采用开路集电极结构,提供了灵活的接口能力,用户可通过上拉电阻轻松适配不同的逻辑电平。在功耗方面,该芯片表现出色,最大静态电流仅为19A,而输入偏置电流在18V供电下也低至0.01A,这使得它非常适合对功耗敏感、由电池供电的便携式设备或长期监测系统。其内置的6.5mV滞后电压有效增强了抗噪声能力,防止在阈值点附近因信号扰动而产生误触发。
在接口与关键参数方面,LT6700MPDCB-3#TRM支持宽达1.4V至18V的单电源供电范围,赋予了设计者极大的电源选择灵活性。其传播延迟最大值为29s,在追求低功耗的同时,也兼顾了中等速度的信号响应需求。该器件采用6引脚DFN表面贴装封装,工作温度范围覆盖-55°C至125°C的工业及军用级标准,确保了在严苛环境下的可靠性。对于需要可靠供应链支持的客户,可以通过ADI一级代理商获取该产品的库存与技术支援服务。
基于其宽输入范围、低功耗和双通道集成的特点,该芯片广泛应用于电源监控、过压/欠压保护电路、窗口比较器以及传感器阈值检测等领域。其Over-The-Top输入能力使其在汽车电子、工业控制系统中用于监测高于逻辑电源的电池电压或电机电流时具有独特优势,尽管该型号目前已处于停产状态,但其设计理念和性能指标在特定存量或延续性项目中仍具有重要参考价值。
- 制造商产品型号:LT6700MPDCB-3#TRM
- 制造商:AD/ADI(Analog Devices,亚德诺半导体)
- 描述:IC COMP DUAL 400MV REF 6-DFN
- 产品系列:线性 - 比较器
- 包装:卷带(TR)
- 系列:Over-The-Top
- 零件状态:停产
- 类型:带电压基准
- 元件数:2
- 输出类型:开路集电极
- 电压-供电,单/双(±):1.4V ~ 18V
- 电压-输入补偿(最大值):-
- 电流-输入偏置(最大值):0.01A @ 18V
- 电流-输出(典型值):-
- 电流-静态(最大值):19A
- CMRR,PSRR(典型值):-
- 传播延迟(最大值):29s
- 滞后:6.5mV
- 工作温度:-55°C ~ 125°C
- 产品封装:6-WFDFN
- 安装类型:表面贴装型
- 更多产品技术参数细节,请下载技术文档后获取。
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