

LT6700MPDCB-1#TRM技术参数
- 制造厂商:ADI(Analog Devices,亚德诺半导体)
- 类别封装:线性 - 比较器,产品封装:6-WFDFN
- 技术参数:IC COMP DUAL 400MV REF 6-DFN
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LT6700MPDCB-1#TRM技术参数详情说明:
作为一款采用Over-The-Top架构设计的双路比较器,LT6700MPDCB-1#TRM的核心优势在于其卓越的输入共模范围。该架构允许输入信号远高于供电电压,甚至可以在供电电压为零时正常工作,这为系统设计提供了极大的灵活性,尤其是在处理高压监测或电池供电系统中的故障检测场景时。其内部集成了两个独立的精密比较器,每个比较器都内置了一个400mV的电压基准,简化了外部电路设计,提高了系统集成度和可靠性。
该器件在极低的功耗下实现了稳定的性能。最大静态电流仅为19A,使其非常适合对功耗有严格限制的便携式和电池供电应用。同时,其输入偏置电流极低(最大值0.01A),有效减小了信号源负载,保证了监测精度。输出级采用开路集电极结构,为用户提供了灵活的电压摆幅配置能力,可以方便地与不同逻辑电平的系统接口。器件内置约6.5mV的迟滞,有效增强了抗噪声能力,防止在阈值点附近因噪声引起的输出振荡,确保了开关动作的稳定可靠。
在接口与参数方面,LT6700MPDCB-1#TRM支持1.4V至18V的单电源宽范围供电,覆盖了从单节电池到标准工业电源的广泛电压需求。其传播延迟最大值为29s,在同类微功耗比较器中表现平衡,适用于多数非高速开关的控制与监测回路。该芯片采用6引脚DFN表面贴装封装,工作温度范围覆盖-55°C至125°C的军工级标准,确保了在严苛环境下的稳定运行。对于需要可靠货源和深度技术支持的客户,可以通过ADI一级代理商获取该产品的库存、替代方案以及详细的应用指导。
凭借其宽输入范围、微功耗和内置基准的特性,该芯片在多个领域找到了用武之地。典型应用包括电池供电设备中的电压监控与低压检测、电源排序与故障保护电路、窗口比较器以及各类阈值检测系统。其Over-The-Top输入能力使其特别适合于高边电流检测、工业控制中高于电源轨的信号监控等特殊场合。尽管该型号目前已处于停产状态,但其设计理念和性能指标在特定存量项目或对可靠性有传承要求的系统中仍具有重要参考价值。
- 制造商产品型号:LT6700MPDCB-1#TRM
- 制造商:AD/ADI(Analog Devices,亚德诺半导体)
- 描述:IC COMP DUAL 400MV REF 6-DFN
- 产品系列:线性 - 比较器
- 包装:卷带(TR)
- 系列:Over-The-Top
- 零件状态:停产
- 类型:带电压基准
- 元件数:2
- 输出类型:开路集电极
- 电压-供电,单/双(±):1.4V ~ 18V
- 电压-输入补偿(最大值):-
- 电流-输入偏置(最大值):0.01A @ 18V
- 电流-输出(典型值):-
- 电流-静态(最大值):19A
- CMRR,PSRR(典型值):-
- 传播延迟(最大值):29s
- 滞后:6.5mV
- 工作温度:-55°C ~ 125°C
- 产品封装:6-WFDFN
- 安装类型:表面贴装型
- 更多产品技术参数细节,请下载技术文档后获取。
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