

LT1236BIS8-10#TRPBF技术参数
- 制造厂商:ADI(Analog Devices,亚德诺半导体)
- 类别封装:电源管理IC - 电压基准,产品封装:8-SOIC(0.154,3.90mm 宽)
- 技术参数:IC VREF SERIES/SHUNT 0.1% 8SOIC
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LT1236BIS8-10#TRPBF技术参数详情说明:
LT1236BIS8-10#TRPBF是一款由亚德诺半导体(ADI)设计生产的高精度串联/并联电压基准芯片。其核心架构基于经过激光校准的隐埋式齐纳二极管技术,这种结构相比传统的表面齐纳二极管,具有更低的噪声和更优异的长期稳定性。芯片内部集成了精密温度补偿电路和缓冲放大器,确保了在宽温度范围内输出电压的精确与稳定。该器件采用8引脚SOIC封装,支持表面贴装,便于集成到各类紧凑型电子系统中。
该器件提供10V的固定输出电压,初始精度高达±0.1%,其温度系数低至10ppm/°C,这意味着在-40°C至85°C的整个工作温度范围内,输出电压的变化被控制在极小的范围内。在噪声性能方面,其0.1Hz至10Hz频带内的峰值噪声仅为6Vp-p,10Hz至10kHz频带内的噪声为3.5Vrms,为高分辨率数据采集系统提供了洁净的参考源。其工作电压范围宽达11.5V至40V,静态工作电流典型值为2mA,并能提供高达10mA的输出电流,具备良好的负载驱动能力。
在接口与参数方面,LT1236BIS8-10#TRPBF设计灵活,既可作为传统的两端并联基准使用,也可作为三端串联基准使用。作为串联基准时,其极低的动态输出阻抗保证了优异的负载调节特性。其低至1.7mA的阴极工作电流要求,也使其在低功耗应用中具有优势。对于需要高可靠性供应的项目,可以通过专业的ADI代理商获取原厂正品和技术支持。
凭借其高精度、低噪声和出色的温度稳定性,该芯片非常适合应用于对基准电压要求苛刻的场合。典型应用包括高精度数字万用表、精密数据采集系统、工业过程控制仪表、自动测试设备以及医疗成像设备中的ADC/DAC参考电路。其宽输入电压范围和良好的负载特性,也使其成为分布式电源系统中局部基准电压源的理想选择,确保系统各关键节点的测量与转换精度。
- 制造商产品型号:LT1236BIS8-10#TRPBF
- 制造商:AD/ADI(Analog Devices,亚德诺半导体)
- 描述:IC VREF SERIES/SHUNT 0.1% 8SOIC
- 产品系列:电源管理IC - 电压基准
- 包装:卷带(TR)
- 系列:-
- 零件状态:有源
- 参考类型:串联,旁路,隐埋式齐纳
- 输出类型:固定
- 电压-输出(最小值/固定):10V
- 电压-输出(最大值):-
- 电流-输出:10mA
- 容差:±0.1%
- 温度系数:10ppm/°C
- 噪声-01Hz至10Hz:6Vp-p
- 噪声-10Hz至10Hz:3.5Vrms
- 电压-输入:11.5V ~ 40V
- 电流-供电:2mA
- 电流-阴极:1.7mA
- 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA)
- 安装类型:表面贴装型
- 产品封装:8-SOIC(0.154,3.90mm 宽)
- 更多产品技术参数细节,请下载技术文档后获取。
作为ADI代理商的战略合作伙伴,我们长期提供LT1236BIS8-10#TRPBF现货供应,支持技术选型与替代方案,欢迎咨询获取最新价格及资料。
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