

LT1161ISW#PBF技术参数
- 制造厂商:ADI(Analog Devices,亚德诺半导体)
- 类别封装:电源管理IC - 栅极驱动器,产品封装:20-SOIC(0.295,7.50mm 宽)
- 技术参数:IC GATE DRVR HIGH-SIDE 20SOIC
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LT1161ISW#PBF技术参数详情说明:
LT1161ISW#PBF是一款由ADI(Analog Devices)设计生产的高性能、高边N沟道MOSFET栅极驱动器。该器件采用先进的CMOS工艺和稳健的架构,旨在为严苛的工业与汽车应用提供可靠、高效的功率开关控制解决方案。其核心设计专注于在宽电压范围内驱动多个高边开关,内部集成了自举充电电路和电平转换器,有效简化了外部电路设计,同时确保了在高达48V的系统电压下,栅极驱动信号具备优异的抗噪能力和快速响应特性。
该驱动器的功能特点突出体现在其四通道独立高边驱动能力上,每个通道均可独立控制一个N沟道MOSFET。其宽泛的8V至48V工作电压范围,使其能够灵活适配12V、24V乃至48V的电池或总线系统。输入逻辑兼容标准CMOS/TTL电平(VIL=0.8V, VIH=2V),确保了与微控制器或逻辑电路的直接、简易接口。器件内部集成了电荷泵,为高边驱动提供了自举电源,省去了外部自举二极管,不仅节省了空间,也提升了系统的可靠性。其坚固的设计使其能够在-40°C至150°C的宽结温范围内稳定工作,尤其适合环境恶劣的应用场合。
在接口与关键参数方面,LT1161ISW#PBF采用20引脚SOIC封装,便于表面贴装(SMT)生产。其非反相的逻辑输入设计,使得控制信号直观明了。虽然原始参数中未明确峰值输出电流与上升/下降时间的具体数值,但作为ADI电源管理IC栅极驱动器系列的一员,其驱动能力经过优化,足以快速对功率MOSFET的栅极电容进行充放电,从而降低开关损耗,提升系统效率。对于需要稳定供应和深度技术支持的客户,通过正规的ADI一级代理商进行采购是保障产品正品与获取完整应用资源的可靠途径。
基于其高边驱动、多通道和宽压工作的特性,LT1161ISW#PBF非常适合于需要控制连接到电源正极的负载的应用场景。典型应用包括工业自动化中的电磁阀、继电器阵列、电机预驱动器,汽车电子中的车身控制模块(BCM)、LED照明驱动、燃油喷射系统,以及通信设备中的热插拔控制和电源分配开关。在这些系统中,它提供了紧凑、高效且可靠的功率接口解决方案。
- 制造商产品型号:LT1161ISW#PBF
- 制造商:AD/ADI(Analog Devices,亚德诺半导体)
- 描述:IC GATE DRVR HIGH-SIDE 20SOIC
- 产品系列:电源管理IC - 栅极驱动器
- 包装:管件
- 系列:-
- 零件状态:有源
- 驱动配置:高端
- 通道类型:独立式
- 驱动器数:4
- 栅极类型:N 沟道 MOSFET
- 电压-供电:8V ~ 48V
- 逻辑电压-VIL,VIH:0.8V,2V
- 电流-峰值输出(灌入,拉出):-
- 输入类型:非反相
- 高压侧电压-最大值(自举):-
- 上升/下降时间(典型值):-
- 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ)
- 安装类型:表面贴装型
- 产品封装:20-SOIC(0.295,7.50mm 宽)
- 更多产品技术参数细节,请下载技术文档后获取。
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