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LT1122DS8#PBF技术参数

  • 制造厂商:ADI(Analog Devices,亚德诺半导体)
  • 类别封装:线性器件 - 放大器 - 仪器、运算放大器、缓冲放大器,产品封装:8-SOIC(0.154,3.90mm 宽)
  • 技术参数:IC OPAMP JFET 1 CIRCUIT 8SO
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LT1122DS8#PBF技术参数详情说明:

LT1122DS8#PBF是一款由亚德诺半导体(ADI)设计生产的高性能JFET输入运算放大器,采用单路电路设计,封装于8引脚SOIC表面贴装封装中。其核心架构基于精密的JFET输入级,这一设计从根本上实现了极低的输入偏置电流,典型值仅为12pA,同时保持了出色的输入失调电压特性,典型值为130V。这种架构确保了放大器在精密测量和信号调理应用中,能够最大限度地减少由输入级引入的误差,为高阻抗信号源或需要长积分时间的应用提供了理想的前端解决方案。

该器件的功能特点突出表现在其高速与精密的平衡上。高达75V/s的压摆率使其能够快速响应输入信号的突变,有效减少大信号应用中的失真。13MHz的增益带宽积则保证了在较宽频率范围内稳定的增益和良好的相位裕度,适用于需要一定带宽的滤波、缓冲或放大电路。其工作电压范围宽广,支持±5V至±18V的双电源供电,为不同系统电平的设计提供了灵活性。此外,其工作温度范围覆盖-40°C至85°C,确保了在工业级环境下的可靠性与稳定性。对于需要可靠供应链支持的工程师,通过ADI中国代理可以获得正品保障和技术支持。

在接口与参数方面,LT1122DS8#PBF采用标准的8-SOIC封装,便于自动化表面贴装生产。其供电电流典型值为7.8mA,在提供高性能的同时兼顾了功耗的合理性。极低的输入偏置电流和输入失调电压参数,使其能够直接连接高阻抗传感器,如光电二极管、pH电极或压电传感器,而无需担心输入电流对测量精度造成显著影响。宽电源电压范围也允许设计者根据输出摆幅和系统电源情况优化设计。

基于其技术特性,LT1122DS8#PBF非常适合应用于对速度和精度均有要求的场景。典型应用包括高速数据采集系统的前置放大器、精密积分器、有源滤波器、光电信号转换电路以及测试测量设备中的缓冲级。它在需要处理微弱电流信号或高阻抗电压信号的仪器仪表、医疗设备及工业控制系统中,都能发挥关键作用,是实现高精度模拟信号链路的可靠选择。

  • 制造商产品型号:LT1122DS8#PBF
  • 制造商:AD/ADI(Analog Devices,亚德诺半导体)
  • 描述:IC OPAMP JFET 1 CIRCUIT 8SO
  • 产品系列:线性器件 - 放大器 - 仪器、运算放大器、缓冲放大器
  • 包装:管件
  • 系列:-
  • 零件状态:有源
  • 放大器类型:J-FET
  • 电路数:1
  • 输出类型:-
  • 压摆率:75V/s
  • 增益带宽积:13MHz
  • -3db带宽:-
  • 电流-输入偏置:12pA
  • 电压-输入补偿:130V
  • 电流-供电:7.8mA
  • 电流-输出/通道:-
  • 电压-供电,单/双(±):±5V ~ 18V
  • 工作温度:-40°C ~ 85°C
  • 安装类型:表面贴装型
  • 产品封装:8-SOIC(0.154,3.90mm 宽)
  • 更多产品技术参数细节,请下载技术文档后获取。

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