

HMC821LP6CETR技术参数
- 制造厂商:ADI(Analog Devices,亚德诺半导体)
- 类别封装:时钟-定时 - 时钟发生器,PLL,频率合成器,产品封装:40-VFQFN
- 技术参数:IC FRACT-N PLL 16BIT 40SMT
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HMC821LP6CETR技术参数详情说明:
HMC821LP6CETR是一款由Analog Devices(ADI)设计生产的高性能小数分频锁相环(Fractional-N PLL)频率合成器芯片。该器件采用先进的架构,集成了一个低相位噪声的射频锁相环核心、一个高分辨率的Σ-Δ调制器以及一个精密的16位可编程分频器。其核心在于能够实现极精细的频率步进,同时保持卓越的频谱纯度和相位噪声性能,这对于现代高性能射频系统至关重要。芯片内部集成的VCO(压控振荡器)覆盖了宽频带,结合灵活的分频与倍频逻辑,使其能够生成高度稳定且可精确编程的时钟或射频信号。
该芯片的功能特点十分突出。它支持高达4.16GHz的最大输出频率,为高速通信和测试设备提供了充足的频率范围。其小数分频能力允许用户以远低于整数分频模式的频率步进来设置输出频率,从而实现更精确的频率控制和更灵活的通道规划。输入和输出接口均采用CMOS电平,便于与数字逻辑电路直接连接,同时输出支持差分模式,有助于提升信号完整性和抗干扰能力。芯片内置分频器和倍频器功能,进一步增强了其应用的灵活性。其工作电压范围宽达3V至5.2V,兼容多种系统电源设计,并且能在-40°C至85°C的工业级温度范围内稳定工作,确保了在苛刻环境下的可靠性。
在接口与关键参数方面,HMC821LP6CETR采用表面贴装型的40-VFQFN封装,体积紧凑,适合高密度PCB布局。它是一款单电路(1:1比率)的频率合成器,通过SPI或类似的数字接口进行全面的寄存器配置,从而实现对输出频率、相位、分频比等所有关键参数的精确控制。其优异的相位噪声性能和低杂散特性,使其成为对信号质量要求极高的应用的理想选择。对于需要稳定货期和技术支持的客户,可以通过正规的ADI代理商进行采购,以获取原厂正品和完整的设计资源。
基于其高性能和灵活性,该芯片广泛应用于多个领域。在无线通信基础设施中,如蜂窝基站(4G/LTE、5G),它可作为本振(LO)频率合成器,为混频器提供纯净且可快速切换的参考信号。在测试与测量设备中,例如频谱分析仪、信号发生器和网络分析仪,它用于产生内部核心时钟或扫描源。此外,在卫星通信、微波点对点回传、雷达系统以及高速数据转换器(ADC/DAC)的时钟生成电路中,HMC821LP6CETR都能提供稳定、低噪声的时钟基准,是构建高性能射频与混合信号系统的关键元器件。
- 制造商产品型号:HMC821LP6CETR
- 制造商:AD/ADI(Analog Devices,亚德诺半导体)
- 描述:IC FRACT-N PLL 16BIT 40SMT
- 产品系列:时钟-定时 - 时钟发生器,PLL,频率合成器
- 包装:卷带(TR),剪切带(CT)
- 系列:-
- 零件状态:有源
- 类型:-
- PLL:是
- 输入:CMOS
- 输出:CMOS
- 电路数:1
- 比率-输入:输出:1:1
- 差分-输入:输出:无/是
- 频率-最大值:4.16GHz
- 分频器/倍频器:是/是
- 电压-供电:3V ~ 5.2V
- 工作温度:-40°C ~ 85°C
- 安装类型:表面贴装型
- 产品封装:40-VFQFN
- 更多产品技术参数细节,请下载技术文档后获取。
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