HMC787LC3BTR技术参数

制造厂商：ADI（Analog Devices，亚德诺半导体）
类别封装：射频混频器，封装：12-CLCC
技术参数：IC MIXER GAAS 3-10GHZ 12-QFN
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HMC787LC3BTR技术参数详情说明：

HMC787LC3BTR是一款由Analog Devices（ADI）设计生产的高性能GaAs（砷化镓）MMIC（单片微波集成电路）混频器。该器件采用先进的半导体工艺，其核心架构集成了肖特基二极管混频单元与片上匹配网络，实现了从3GHz至10GHz超宽频带内的高效频率转换功能。内部集成的巴伦（Balun）结构确保了射频（RF）与本振（LO）端口之间的良好隔离，同时优化了端口回波损耗，减少了外部匹配元件的需求，简化了系统设计。

该混频器具备出色的线性度与动态范围，其噪声系数典型值为9dB，在宽频带内保持了良好的性能一致性，这对于接收链路灵敏度至关重要。作为一款无源混频器，它无需外部直流偏置，简化了供电设计。器件支持上变频和下变频两种工作模式，其转换损耗在宽频带内表现平坦，确保了信号在频率变换过程中的幅度稳定性。其紧凑的12引脚CLCC（陶瓷无引线芯片载体）封装采用表面贴装技术，具有良好的热性能和机械可靠性，适合高密度PCB布局。

在接口与关键参数方面，HMC787LC3BTR定义了标准的射频（RF）、本振（LO）和中频（IF）端口。其工作频率覆盖3GHz至10GHz，适用于LTE及WiMAX等通信标准频段。虽然该器件已处于停产状态，但其成熟的设计和验证过的性能使其在特定存量或延续性项目中仍有应用价值。对于需要可靠供应链支持的客户，可以通过专业的ADI芯片代理渠道获取库存或替代方案咨询。

该芯片典型的应用场景包括点对点无线电、卫星通信终端、微波回程设备以及测试测量仪器中的频率转换单元。其宽频带特性使其能够适配多波段系统，减少系统中所需混频器的种类，有助于降低物料清单（BOM）复杂性和成本。在雷达前端和电子战（EW）系统中，其快速频率切换能力和宽频带覆盖也是关键优势。