

HMC775LC5TR技术参数
- 制造厂商:ADI(Analog Devices,亚德诺半导体)
- 类别封装:射频混频器,封装:32-TFQFN
- 技术参数:IC MIXER I/O LO AMP 32SMD
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HMC775LC5TR技术参数详情说明:
HMC775LC5TR是亚德诺半导体(ADI)推出的一款高性能、双通道射频混频器,采用先进的GaAs(砷化镓)MMIC(单片微波集成电路)工艺制造,封装于紧凑的32引脚TFQFN表面贴装外壳中。该芯片专为10GHz至16GHz的微波频段设计,其核心架构集成了两个独立的混频器单元以及本振(LO)驱动放大器,实现了高度集成化的信号链功能。这种设计不仅显著减少了外部元件数量,简化了系统布局,更通过芯片内部的优化匹配,确保了在宽频带范围内具有出色的端口隔离度和线性度。
该器件在功能上被定义为升频器(上变频器),能够高效地将中频(IF)信号转换至射频(RF)输出。其内部集成的本振放大器是一个关键特性,它提供了足够的驱动电平,允许使用较低功率的本振源,从而降低了系统整体功耗和设计复杂度。双混频器的配置为需要多通道或I/Q(同相/正交)调制架构的应用提供了便利。尽管官方参数未明确标注转换增益和噪声系数,但其在指定频段内经过优化,旨在提供高线性度(通常以输入三阶截点IIP3衡量)和良好的端口间隔离,这对于抑制不必要的杂散信号和镜像频率干扰至关重要。
在接口与电气参数方面,HMC775LC5TR采用表面贴装技术,符合现代自动化生产要求。其工作频率覆盖10GHz至16GHz,满足了X波段及部分Ku波段应用的需求。供电电压和电流的具体数值需参考详细的数据手册,但其MMIC工艺通常意味着相对简洁的偏置电路需求。对于需要获取此型号进行原型设计或特定系统维护的工程师,可以通过正规的ADI一级代理商渠道咨询库存与技术支持。值得注意的是,该产品目前已处于停产状态,在新设计中建议评估ADI公司更新的替代产品系列。
由于其卓越的微波性能和高集成度,该芯片典型应用于点对点无线电通信、卫星通信上行链路、军用电子战(EW)系统以及测试测量设备中的上变频模块。在这些场景中,其宽频带、高集成和良好的线性特性对于保证信号传输质量、提高频谱利用率和实现设备的小型化都发挥着核心作用。
- 制造商产品型号:HMC775LC5TR
- 制造商:AD/ADI(Analog Devices,亚德诺半导体)
- 描述:IC MIXER I/O LO AMP 32SMD
- 系列:射频混频器
- 包装:卷带(TR),剪切带(CT)
- 零件状态:停产
- 射频类型:通用
- 频率:10GHz ~ 16GHz
- 混频器数:2
- 增益:-
- 噪声系数:-
- 辅助属性:升频器
- 电流-供电:-
- 电压-供电:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装:32-TFQFN
- 更多产品技术参数细节,请下载技术文档后获取。
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