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HMC773技术参数

  • 制造厂商:ADI(Analog Devices,亚德诺半导体)
  • 类别封装:射频混频器,封装:模具
  • 技术参数:IC MMIC MIXER DBL-BAL DIE
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HMC773技术参数详情说明:

HMC773是一款由Analog Devices(ADI)设计生产的单片微波集成电路(MMIC)双平衡混频器芯片。该器件采用无引线芯片(Die)形式,专为表面贴装应用而优化,其核心架构基于成熟的GaAs(砷化镓)工艺,集成了高性能的肖特基二极管混频核心与片上巴伦(Balun)结构。这种集成化设计确保了在极宽频带内实现卓越的端口间隔离度与线性度,同时显著减少了传统分立方案所需的外围匹配电路复杂度,为系统设计提供了高度紧凑的解决方案。

作为一款覆盖6GHz至26GHz的超宽带器件,HMC773具备出色的射频性能。它采用双平衡混频拓扑,能够有效抑制本振(LO)端口和射频(RF)端口之间的偶次谐波产物,从而大幅降低杂散信号干扰。该芯片设计用于升频或降频转换,在VSAT(甚小孔径终端)、点对点无线电、军事电子战以及测试测量设备等高频系统中扮演关键角色。其模具封装形式要求用户在封装和装配过程中具备相应的共晶焊接或导电胶粘接能力,通常由专业的ADI一级代理商提供完整的技术支持和供应链服务。

在接口与参数方面,HMC773提供了标准的射频(RF)、本振(LO)和中频(IF)三个端口。虽然具体的技术手册中未明确标注转换增益、噪声系数及供电电流等典型值,但其“IC MMIC MIXER DBL-BAL DIE”的描述明确了其作为集成双平衡混频器的本质,性能参数需在具体应用电路和偏置条件下进行评估。用户在设计时需特别注意其无源工作特性(通常无需直流偏置)以及宽带匹配网络的设计,以实现从Ku波段延伸至Ka波段的稳定工作。尽管该产品目前已处于停产状态,但在许多现有高端系统和备件市场中仍具有重要价值。

该芯片典型的应用场景集中于对频率和线性度有苛刻要求的领域。在卫星通信上行/下行链路中,它可用于中频与射频之间的频率变换;在微波回传系统中,实现高频信号的调制与解调;此外,在雷达接收机前端以及宽带电子侦察设备中,其宽频带特性能够支持多频段信号处理。工程师在选择HMC773时,需综合考虑其宽带性能优势与因芯片形式带来的装配挑战,并确保从可靠渠道获取器件与设计资源。

  • 制造商产品型号:HMC773
  • 制造商:AD/ADI(Analog Devices,亚德诺半导体)
  • 描述:IC MMIC MIXER DBL-BAL DIE
  • 系列:射频混频器
  • 包装:散装
  • 零件状态:停产
  • 射频类型:VSAT
  • 频率:6GHz ~ 26GHz
  • 混频器数:1
  • 增益:-
  • 噪声系数:-
  • 辅助属性:升/降频器
  • 电流-供电:-
  • 电压-供电:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装:模具
  • 更多产品技术参数细节,请下载技术文档后获取。

作为ADI代理商的战略合作伙伴,我们长期提供HMC773现货供应,支持技术选型与替代方案,欢迎咨询获取最新价格及资料。

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