

HMC678LC3CTR-R5技术参数
- 制造厂商:ADI(Analog Devices,亚德诺半导体)
- 类别封装:射频开关,封装:16-LFCQFN
- 技术参数:IC RF SWITCH SPDT 13GHZ 16CSMT
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HMC678LC3CTR-R5技术参数详情说明:
HMC678LC3CTR-R5是一款由亚德诺半导体(Analog Devices)设计生产的高性能单刀双掷(SPDT)射频开关芯片。该器件采用先进的砷化镓(GaAs)工艺制造,其核心架构集成了高性能的PIN二极管开关单元与精密的片上偏置控制电路,能够在高达13GHz的宽频带范围内实现快速、可靠的信号路径切换。这种设计确保了在微波频段下,信号通道之间具备优异的隔离度,同时将插入损耗控制在极低水平,从而最大限度地减少对系统链路预算的影响。
该芯片的功能特点突出表现在其卓越的线性度与功率处理能力上。它能够在整个工作频带内维持稳定的50欧姆特性阻抗,确保与系统传输线的良好匹配,减少信号反射。其开关动作由简单的TTL/CMOS兼容逻辑电平控制,响应速度快,切换时间短,非常适合需要高速通道选择的场景。此外,芯片内部集成了ESD保护电路,增强了在苛刻应用环境下的鲁棒性。对于需要可靠供应链保障的客户,通过ADI授权代理渠道可以获得原厂正品支持与完整的技术文档服务。
在接口与关键参数方面,HMC678LC3CTR-R5采用紧凑的16引脚LFCQFN封装,非常适合高密度PCB布局。其工作电压范围为-3V至-3.6V,典型负压供电设计有助于优化开关的隔离性能。该器件的工作温度范围覆盖工业级标准的-40°C至85°C,保证了在宽温环境下的稳定性和可靠性。虽然具体的插损、隔离度、P1dB和IIP3值需参考详细数据手册,但其标称的13GHz工作频率上限和SPDT拓扑结构,明确指向了其在要求低损耗、高隔离的中高频段应用中的核心价值。
基于其技术规格,HMC678LC3CTR-R5广泛应用于测试与测量设备、军用电子、点对点无线通信以及卫星通信系统等领域。在自动化测试设备(ATE)中,它可用于信号源与多路被测器件之间的路由切换;在相控阵雷达或电子战系统中,它能高效完成天线单元或接收通道的选择;在微波通信链路中,则可用于实现发射与接收模式的切换或冗余备份路径的选择。其高频率、高可靠性的特性使其成为现代射频前端模块中不可或缺的关键组件。
- 制造商产品型号:HMC678LC3CTR-R5
- 制造商:AD/ADI(Analog Devices,亚德诺半导体)
- 描述:IC RF SWITCH SPDT 13GHZ 16CSMT
- 系列:射频开关
- 零件状态:有源
- 射频类型:通用
- 拓扑:-
- 电路:SPDT
- 频率范围:-
- 隔离:-
- 插损:-
- 测试频率:-
- P1dB:-
- IIP3:-
- 特性:-
- 阻抗:50 欧姆
- 电压-供电:-3V ~ -3.6V
- 工作温度:-40°C ~ 85°C
- 封装:16-LFCQFN
- 更多产品技术参数细节,请下载技术文档后获取。
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