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HMC605LP3ETR技术参数

  • 制造厂商:ADI(Analog Devices,亚德诺半导体)
  • 类别封装:射频放大器,封装:16-VFQFN
  • 技术参数:IC AMP WIMAX 2.3GHZ-2.7GHZ 16QFN
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HMC605LP3ETR技术参数详情说明:

HMC605LP3ETR是一款由Analog Devices(ADI)设计生产的高性能单片微波集成电路(MMIC)低噪声放大器(LNA),采用先进的GaAs pHEMT工艺制造。该芯片的核心架构旨在为2.3GHz至2.7GHz频段的射频信号提供卓越的放大性能,其内部集成了匹配网络和偏置电路,实现了高集成度与设计简化。器件采用紧凑的16引脚QFN(3mm x 3mm)表面贴装封装,便于在密集的电路板上进行布局,同时确保了优异的热性能和射频接地。

该放大器在指定的工作频段内提供高达20dB的线性增益,能够有效提升接收链路前端的信号电平。其噪声系数典型值低至1.1dB,这一特性对于接收机灵敏度至关重要,能够最大限度地降低系统整体噪声,从而提升微弱信号的捕获能力。同时,该器件具备+17dBm的输出1dB压缩点(P1dB),提供了良好的线性度和动态范围,有助于抑制带内干扰并减少信号失真。其工作电压范围覆盖3V至5V,在典型5V供电下静态电流为74mA,实现了性能与功耗的有效平衡。

在接口与参数方面,HMC605LP3ETR设计为50欧姆输入输出阻抗,简化了与前后级电路的匹配设计。其稳定的性能表现使其非常适合集成到复杂的射频前端模块中。用户可以通过ADI一级代理商获取完整的技术文档、评估板支持以及供应链服务,以确保设计的顺利导入与生产。

该芯片主要面向WiMAX(全球微波互联接入)和WiBro(无线宽带)等宽带无线接入系统的基站与用户终端设备。其优化的频段性能使其成为2.5GHz频段TDD-LTE、无线回程以及固定无线接入等应用的理想选择。在雷达、卫星通信以及测试测量设备中,其低噪声和高增益的特性也能发挥重要作用。尽管该产品目前已处于停产状态,但在许多现有系统和备件供应中仍具有重要价值,工程师在选型时可参考其技术指标作为同类产品设计的基准。

  • 制造商产品型号:HMC605LP3ETR
  • 制造商:AD/ADI(Analog Devices,亚德诺半导体)
  • 描述:IC AMP WIMAX 2.3GHZ-2.7GHZ 16QFN
  • 类别:RF-IF 和 RFID 射频放大器
  • 零件状态:停产
  • 频率:2.3GHz ~ 2.7GHz
  • P1dB:17dBm
  • 增益:20dB
  • 噪声系数:1.1dB
  • 射频类型:WiMAX / WiBro
  • 电压-供电:3V,5V
  • 电流-供电:74mA
  • 测试频率:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装:16-VFQFN
  • 更多产品技术参数细节,请下载技术文档后获取。

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