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HMC593LP3ETR技术参数

  • 制造厂商:ADI(Analog Devices,亚德诺半导体)
  • 类别封装:射频放大器,封装:16-VFQFN
  • 技术参数:IC RF AMP WIMAX 3.3GHZ-3.8GHZ
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HMC593LP3ETR技术参数详情说明:

作为一款专为WiMAX/WiBro应用设计的射频放大器,HMC593LP3ETR在3.3GHz至3.8GHz的频段内提供了卓越的性能表现。该芯片采用先进的GaAs pHEMT工艺制造,其核心架构旨在实现高增益与低噪声的平衡,内部集成了优化的匹配网络和偏置电路,确保了在宽频带范围内的稳定性和一致性,简化了外部电路设计。

该器件在典型工作条件下可提供高达19dB的增益,同时维持极低的噪声系数,典型值在1.2dB至1.4dB之间,这对于接收链路前端提升系统灵敏度至关重要。其输出1dB压缩点(P1dB)为16dBm,提供了良好的线性度,能够处理一定强度的信号而不产生显著失真。芯片支持3V至5V的单电源供电,工作电流范围在20mA至40mA,体现了高效的功耗控制。其紧凑的16引脚VFQFN表面贴装封装,非常适合于高密度PCB布局,满足现代无线通信设备对小型化的要求。

在接口与参数方面,HMC593LP3ETR设计简洁,易于集成。其射频输入输出端口均已内部匹配至50欧姆,减少了外部元件数量。稳定的性能使其成为固定无线接入、宽带无线通信基站以及用户终端设备中射频前端的理想选择。虽然该产品目前已处于停产状态,但在其目标应用领域的历史设计和备件维护中仍具参考价值,用户可通过正规的ADI一级代理商渠道咨询库存或替代方案信息。

  • 制造商产品型号:HMC593LP3ETR
  • 制造商:AD/ADI(Analog Devices,亚德诺半导体)
  • 描述:IC RF AMP WIMAX 3.3GHZ-3.8GHZ
  • 类别:RF-IF 和 RFID 射频放大器
  • 零件状态:停产
  • 频率:3.3GHz ~ 3.8GHz
  • P1dB:16dBm
  • 增益:19dB
  • 噪声系数:1.2dB ~ 1.4dB
  • 射频类型:WiMAX / WiBro
  • 电压-供电:3V,5V
  • 电流-供电:20mA ~ 40mA
  • 测试频率:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装:16-VFQFN
  • 更多产品技术参数细节,请下载技术文档后获取。

作为ADI代理商的战略合作伙伴,我们长期提供HMC593LP3ETR现货供应,支持技术选型与替代方案,欢迎咨询获取最新价格及资料。

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