HMC573LC3BTR-R5技术参数

制造厂商：ADI（Analog Devices，亚德诺半导体）
类别封装：RF IC和模块，封装：12-VFQFN
技术参数：IC MMIC MULTIPLIER X2 12SMD
专注销售ADI电子元器件，承诺原装！现货当天发货！
您可通过电话、微信、QQ或邮件与销售代表联系询价及采购

点击下图下载技术文档

HMC573LC3BTR-R5技术参数详情说明：

HMC573LC3BTR-R5是一款由Analog Devices（ADI）设计生产的高性能单片微波集成电路（MMIC）倍频器。该器件采用先进的GaAs pHEMT工艺制造，在紧凑的12-VFQFN表面贴装封装内集成了输入缓冲放大器、核心倍频电路以及输出驱动放大器，构成了一个完整的信号链。这种高度集成的架构不仅简化了系统设计，减少了外部元件数量，还确保了在宽频带范围内卓越的相位噪声性能和输出功率稳定性，为高频系统提供了一个可靠且高效的频率转换解决方案。

该倍频器的核心功能是将输入频率精确地倍增为两倍输出，其工作频率范围覆盖8 GHz至22 GHz，典型应用带宽极宽。器件内部集成的增益级提供了出色的转换增益，有效补偿了倍频过程固有的插入损耗，使得系统设计无需额外的前置放大器即可获得足够的信号电平。高谐波抑制和良好的输出功率平坦度是其关键特性，这得益于内部优化的匹配网络和滤波设计，能够有效抑制不需要的杂散信号，输出纯净的二次谐波。此外，其单电源供电设计和集成的偏置电路进一步简化了外围电路设计，提升了系统的整体可靠性。

在接口与电气参数方面，HMC573LC3BTR-R5采用表面贴装型12引脚QFN封装，具有良好的散热性能和紧凑的占板面积，非常适合高密度PCB布局。其射频输入和输出端口均为内部匹配至50欧姆，极大地方便了板级集成。典型的性能参数包括在指定频带内稳定的输出功率、优异的输入/输出回波损耗以及宽泛的工作温度范围。对于需要稳定、高性能倍频源的应用，从专业的ADI一级代理商处获取此器件，是确保产品正品供应和获得完整技术支持的重要途径。

基于其优异的射频性能，HMC573LC3BTR-R5主要面向对频率纯度和信号质量有严苛要求的专业应用场景。它非常适用于卫星通信系统，如直接广播卫星（DBS）和甚小孔径终端（VSAT），用于本振信号链的频率合成。此外，在点对点无线电链路、微波通信基础设施、测试与测量设备以及军用电子战和雷达系统中，该器件也能作为关键组件，用于生成高频本振或载波信号，其宽频带特性使其能够灵活适配多种信道规划方案。