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HMC561LP3ETR技术参数

  • 制造厂商:ADI(Analog Devices,亚德诺半导体)
  • 类别封装:RF IC和模块,封装:16-VFQFN
  • 技术参数:IC MULTIPLIER X2 BB FREQ 16-QFN
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HMC561LP3ETR技术参数详情说明:

HMC561LP3ETR是亚德诺半导体(Analog Devices)推出的一款高性能有源倍频器芯片,采用先进的GaAs HBT工艺制造,封装于紧凑的16引脚QFN(3mm x 3mm)表面贴装型外壳中。该器件设计用于在8 GHz至21 GHz的极宽输入频率范围内工作,其核心架构集成了一个高效的倍频级与输出缓冲放大器,能够将输入射频信号的频率精确地提升至两倍。这种集成化设计不仅简化了外部电路,还显著提升了系统的整体线性度和输出功率稳定性,使其成为高频信号链中的关键有源组件。

该芯片的功能特点突出,其有源倍频机制提供了优异的转换增益,典型值可达正增益,这意味着输出信号的功率可能高于输入信号,有效补偿了无源倍频器固有的插入损耗。同时,其内部集成的输出缓冲放大器提供了良好的隔离度,并能够直接驱动后续的混频器或功率放大器等负载,简化了系统设计。得益于其宽频带特性,HMC561LP3ETR对输入频率的变化不敏感,能够在指定的整个频段内保持稳定的性能,这为需要频率捷变或宽带操作的系统提供了极大的灵活性。

在接口与关键参数方面,该器件采用标准的表面贴装形式,便于集成到现代微波多层PCB中。其工作频率覆盖了C、X、Ku乃至部分K波段,射频接口为单端形式,需要外部提供直流偏置。作为一款有源器件,它需要典型值为+5V的单电源供电,功耗较低。其输出频谱纯度是一个重要指标,能够有效抑制基波和其他杂散分量,确保倍频后信号的质量。对于需要可靠供应链和技术支持的客户,可以通过正规的ADI中国代理获取该产品,并获得完整的数据手册、评估板以及应用技术支持。

基于其卓越的性能,HMC561LP3ETR非常适合应用于对频率和信号质量有苛刻要求的场景。在点对点及点对多点微波无线电通信系统中,它可用于生成本振(LO)链路的较高频信号。在军用电子战和雷达系统中,其宽频带和快速响应特性使其适用于频率合成和信号生成模块。此外,在卫星通信上行链路、测试与测量设备以及高性能实验室仪器中,该芯片也能作为核心倍频元件,提供纯净、稳定的高频本地振荡源,是工程师构建先进射频前端架构的理想选择。

  • 制造商产品型号:HMC561LP3ETR
  • 制造商:AD/ADI(Analog Devices,亚德诺半导体)
  • 描述:IC MULTIPLIER X2 BB FREQ 16-QFN
  • 系列:RF IC和模块
  • 包装:卷带(TR),剪切带(CT)
  • 零件状态:有源
  • 功能:频率系数
  • 频率:8GHz ~ 21GHz
  • 射频类型:通用
  • 辅助属性:有源倍频器
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装:16-VFQFN
  • 更多产品技术参数细节,请下载技术文档后获取。

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