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HMC553ALC3BTR技术参数

  • 制造厂商:ADI(Analog Devices,亚德诺半导体)
  • 类别封装:射频混频器,封装:12-CLCC
  • 技术参数:IC MMIC MIXER DBL-BAL 12SMD
  • 专注销售ADI电子元器件,承诺原装!现货当天发货!
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HMC553ALC3BTR技术参数详情说明:

HMC553ALC3BTR是一款由Analog Devices(ADI)设计生产的单片微波集成电路(MMIC)双平衡混频器。该器件采用成熟的GaAs(砷化镓)工艺制造,内部集成了肖特基二极管混频核心以及匹配良好的巴伦(Balun)结构,实现了从射频(RF)到本振(LO)以及中频(IF)端口之间的高效信号转换与隔离。其紧凑的12引脚CLCC陶瓷封装结构,不仅确保了在宽频带范围内稳定的电气性能,也为高密度表面贴装(SMT)应用提供了可靠的物理基础。

该混频器在7 GHz至14 GHz的宽射频输入频率范围内工作,展现了卓越的宽带性能。其双平衡架构有效抑制了本振信号的馈通,并显著改善了端口间的隔离度,这对于减少系统干扰、简化滤波设计至关重要。器件标称的噪声系数为8 dB,在同类宽带混频器中属于优秀水平,有助于维持接收链路整体的灵敏度。作为一款无源混频器,它无需外部直流偏置,简化了系统电源设计,同时其表面贴装型封装便于自动化生产,提高了装配效率和一致性。

在接口与关键参数方面,HMC553ALC3BTR设计为双平衡混频器,支持上变频和下变频应用。其端口设计针对微波频段进行了优化,建议在应用时遵循数据手册的布局和匹配指南,以发挥最佳性能。除了核心的7-14 GHz工作频段和8 dB噪声系数外,其转换损耗、端口隔离度(LO-RF, LO-IF)和输入三阶交调截点(IIP3)等动态范围指标,共同定义了其在严苛信号环境下的线性处理能力。用户可以通过ADI一级代理商获取完整的数据手册、评估板以及详细的应用支持,以确保设计一次成功。

基于其宽频带、高隔离和良好的噪声性能,该器件非常适用于对频率敏捷性和信号纯度有高要求的微波系统。典型应用场景包括点对点及点对多点无线电通信、军用电子战(EW)和雷达系统中的频率转换单元、测试与测量设备的前端,以及卫星通信上行/下行链路。在这些系统中,HMC553ALC3BTR能够可靠地完成频谱搬移任务,是构建高性能射频收发链路的基石型元件。

  • 制造商产品型号:HMC553ALC3BTR
  • 制造商:AD/ADI(Analog Devices,亚德诺半导体)
  • 描述:IC MMIC MIXER DBL-BAL 12SMD
  • 系列:射频混频器
  • 包装:卷带(TR),剪切带(CT)
  • 零件状态:有源
  • 射频类型:-
  • 频率:7GHz ~ 14GHz
  • 混频器数:1
  • 增益:-
  • 噪声系数:8dB
  • 辅助属性:-
  • 电流-供电:-
  • 电压-供电:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装:12-CLCC
  • 更多产品技术参数细节,请下载技术文档后获取。

作为ADI代理商的战略合作伙伴,我们长期提供HMC553ALC3BTR现货供应,支持技术选型与替代方案,欢迎咨询获取最新价格及资料。

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