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HMC530LP5E技术参数

  • 制造厂商:ADI(Analog Devices,亚德诺半导体)
  • 类别封装:VCO(压控振荡器),封装:32-VFQFN,CSP
  • 技术参数:VCO 5.075/10.15GHZ 2-12V 5X5MM
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HMC530LP5E技术参数详情说明:

HMC530LP5E是亚德诺半导体(Analog Devices)推出的一款高性能、宽频带压控振荡器(VCO)。该器件采用先进的GaAs HBT MMIC工艺制造,其核心架构集成了负阻振荡器与缓冲放大器,并通过内部倍频器实现了从C波段到X波段的频率覆盖。这种集成化设计不仅确保了优异的相位噪声性能和频率稳定性,还显著简化了外部电路,为系统设计提供了高集成度的解决方案。

该VCO具备双频带输出能力,其基波频率覆盖4.75 GHz至5.4 GHz,通过内部倍频器可同步提供9.5 GHz至10.8 GHz的二次谐波输出。这种设计使得单个器件能够灵活服务于不同频段的系统需求。其典型相位噪声在10 kHz偏移处低至-110 dBc/Hz,为要求苛刻的通信与雷达系统提供了出色的频谱纯度。同时,器件支持2V至12V的宽范围调谐电压,调谐灵敏度(推移)典型值为20 MHz/V,提供了良好的线性调谐特性与控制精度。

在接口与电气参数方面,HMC530LP5E采用单5V电源供电,最大工作电流为390mA。其输出功率在基波频段典型值为-5.5 dBm,在倍频后的X波段则提升至11 dBm,能够直接驱动后续混频器或放大器,减少级间增益需求。器件采用紧凑的5mm x 5mm、32引脚QFN封装,具有良好的散热性能,并能在-40°C至+85°C的宽温度范围内稳定工作,满足工业级应用环境要求。对于需要可靠供应链保障的客户,可以通过官方ADI授权代理获取正品器件与技术支持。

基于其优异的性能,该芯片非常适合应用于点对点及点对多点无线电、卫星通信终端、VSAT、军用雷达、测试仪器以及微波传感器等场景。其双频带输出特性尤其适用于需要频率捷变或本振链简化的设计,为工程师在C波段和X波段系统架构中提供了高度灵活且性能卓越的核心频率源选择。

  • 制造商产品型号:HMC530LP5E
  • 制造商:AD/ADI(Analog Devices,亚德诺半导体)
  • 描述:VCO 5.075/10.15GHZ 2-12V 5X5MM
  • 系列:VCO(压控振荡器)
  • 产品系列:-
  • 零件状态:有源
  • 频率范围:4.75 ~ 5.4GHz,9.5 ~ 10.8GHz
  • 频率-中心:5.075GHz,10.15GHz
  • 电压-供电:5V
  • 调谐电压(VDC):2V ~ 12V
  • 二次谐波,典型值(dBc):20
  • 最大Icc:390mA
  • 推移(MHz/V):20
  • 功率(dBm):-5.5±2.5,11±3
  • 典型相位噪声(dBc/Hz):-110
  • 工作温度:-40°C ~ 85°C
  • 封装:32-VFQFN,CSP
  • 更多产品技术参数细节,请下载技术文档后获取。

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