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HMC507LP5TR技术参数

  • 制造厂商:ADI(Analog Devices,亚德诺半导体)
  • 类别封装:射频放大器,封装:32-VFQFN
  • 技术参数:IC AMP VSAT 6.65-7.65GHZ 32QFN
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HMC507LP5TR技术参数详情说明:

HMC507LP5TR是一款由亚德诺半导体(Analog Devices)设计生产的高性能单片微波集成电路(MMIC)放大器。该芯片采用先进的GaAs pHEMT工艺制造,其核心架构针对6.65 GHz至7.65 GHz的C波段频率范围进行了优化,旨在提供卓越的线性度和功率效率。其内部集成了多级放大电路与匹配网络,确保了在宽频带内稳定、一致的性能表现,同时集成的偏置电路简化了外部设计需求。

该器件专为甚小孔径终端(VSAT)应用而设计,其功能特点突出表现在其工作频段完全覆盖了卫星通信上行链路的常用C波段范围。在5V单电源供电下,典型工作电流为230mA,实现了功耗与性能的良好平衡。其表面贴装型的32引脚QFN封装(32-VFQFN)提供了优异的散热性能和紧凑的占板面积,非常适合高密度集成的现代通信设备。对于需要可靠供应链和技术支持的客户,通过ADI授权代理进行采购是确保产品正品性和可获得性的重要途径。

在接口与关键参数方面,HMC507LP5TR作为一款射频放大器,其设计重点在于满足VSAT系统对信号放大链路的严格要求。虽然具体的增益、1dB压缩点(P1dB)和噪声系数等参数需参考详细的数据手册,但其标定的工作频率和供电条件明确指向了高线性度、中等功率放大的应用场景。5V的标准化供电电压使其能够轻松集成到常见的系统电源架构中,而230mA的电流消耗则便于进行系统的热设计和功耗预算。

该芯片典型的应用场景包括卫星通信地面站、VSAT调制解调器、点对点无线回程以及测试测量设备中的射频前端。其稳定的性能和针对性的频段设计,使其成为构建C波段卫星通信发射通道或驱动级放大器的理想选择,能够有效提升系统的链路预算和通信可靠性。

  • 制造商产品型号:HMC507LP5TR
  • 制造商:AD/ADI(Analog Devices,亚德诺半导体)
  • 描述:IC AMP VSAT 6.65-7.65GHZ 32QFN
  • 类别:RF-IF 和 RFID 射频放大器
  • 零件状态:有源
  • 频率:6.65GHz ~ 7.65GHz
  • P1dB:-
  • 增益:-
  • 噪声系数:-
  • 射频类型:VSAT
  • 电压-供电:5V
  • 电流-供电:230mA
  • 测试频率:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装:32-VFQFN
  • 更多产品技术参数细节,请下载技术文档后获取。

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